[发明专利]用于光学邻近效应校正的多变量求解器

权利要求书

1.一种求解针对在掩模布局中的边缘片段的校正的方法，包括：

针对掩模布局中的多个边缘片段确定由于施加到多个边缘片段上的一个或多个干扰而产生的抗蚀剂图像差值；

形成包括针对所有多个边缘片段的抗蚀剂图像差值的多求解器矩阵；以及

使用多求解器矩阵的伪逆同时确定针对掩模布局中的多个边缘片段中的每个边缘片段的校正德尔塔值。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多求解器矩阵的伪逆A⁺被定义为

A⁺＝(αI+A^T A)^-1A^T

其中A^T是所述多求解器矩阵的转置，I是单位矩阵，而α是应用于所述单位矩阵的可调的正乘法因子。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，初始的多求解器矩阵A₀是对角矩阵，在所述对角矩阵中，第i个对角项由下式确定

[A0]ii=ΔRIiΔc0,i.]]>

其中，Δc_0，i是第i个边缘片段的干扰量，而ΔRI_i是由所述干扰所导致的针对第i个边缘片段的抗蚀剂图像值的变化。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多求解器矩阵A被表达为

其中A₀是初始的多求解器矩阵，所述初始的多求解器矩阵是对角矩阵，P和Q是n×p矩阵，其中n是边缘片段的数量，而p是P和Q的列数。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，初始的多求解器矩阵A₀是对角矩阵，在所述对角矩阵中，第i个对角项由下式确定

[A0]ii=ΔRIiΔc0,i.]]>

其中，Δc_0，i是第i个边缘片段的干扰量，而ΔRI_i是由所述干扰所导致的针对第i个边缘片段的抗蚀剂图像值的变化。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，确定抗蚀剂图像差值的步骤包括：

采用掩模布局模拟光刻过程，以产生第一模拟抗蚀剂图像；

以预定量干扰在掩模布局中的每个边缘片段，以产生初始的被干扰的布局；

采用初始的被干扰的布局模拟光刻过程，以产生第二模拟抗蚀剂图像；

针对多个边缘片段中的每个边缘片段确定在所述第一模拟抗蚀剂图像和所述第二模拟抗蚀剂图像之间的抗蚀剂图像差值。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，同时确定校正德尔塔值的步骤包括采用所述多求解器矩阵的伪逆确定校正德尔塔矢量，其中所述校正德尔塔矢量包括校正德尔塔值。