[发明专利]激励太阳光能因子能量的光电转换装置无效
申请号: | 201110200219.2 | 申请日: | 2011-07-09 |
公开(公告)号: | CN102867863A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 曾庆尧 | 申请(专利权)人: | 曾庆尧 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/052;G02B7/00;G02B27/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 517400 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激励 太阳 光能 因子 能量 光电 转换 装置 | ||
该发明是利用激光技术对太阳光能因子能量激励后,提高光能因子能量的光电转换的效率,增加电能因子能量及数量,提供更多电力能源的技术。
设计理念
眼下,人类正处在能源危机,候变暖的非常时期,开发利用全新的太阳能源,取代传统的燃烧矿物的能源,刻不容缓。
太阳的热核聚变反应产生的能量为地球和人类提供了取之不尽用之不竭的干净且充裕的能源。据测算太阳每秒钟向地球传播500万吨标准煤的能量。而人类目前仅能利用20亿分之一。用全新的开放时空观念,全新发现的自然界物质存在基本规律(A、自然界的物质都是具有内在机能的载能因子及其能场相互传递转移的开放性时空存在系统;B、自然界的物质都因具有内在机能的载能因子及其能场的相互传递转移而存在;C、自然界的物质都是具有内在机能的载能因子及其能场的相互传递转移的开放时空存在系统的物质碎片,各自具有内在机能的载能因子及其能场相互传递转移的定域规范场的定域量值,且此量值将随其内机能的载能因子及其能场相互传递转移的时间坐标量值的递变而变换。)以及全新创立的“质场论”为指导开发利用太阳能是人类解除能源危机、应对全球气候变暖、彻底变革传统的以燃烧矿物为主的能源格局的最佳选择。该发明就是在此理念灵感启迪下所取得的。
技术背景
该发明的技术背景有五个方面:①太阳光的光能因子能量的光电转换的机理;②凹镜、凸透镜聚焦太阳光能量的机理;③磁能因子能量激励光能因子能量的机理;④光纤的光能因子能量传输的机理;⑤蓝宝石激励光能因子能量的机理。
一、太阳光的光能因子能量的光电转换的机理
自人类(爱因斯坦)发现光电效应以来,改变了传统的光的波动性(即电磁波)观念。认识到光的粒子性(但,此是物质粒子的刚性的、孤立、平衡、对称的封闭时空存在系统。此称为封闭时空观的认识论。而按“质场论”则认为:包括光能因子在内的自然界中所有物质的载能因子都是具有内在机能的载能因子及其能场相互传递转移的开放性时空存在系统,此叫开放性时空观的认识论)。人类在研究开发太阳光的光电效应的技术,已取得很大进展。如:人造卫星、国际空间站的电源供给、光伏电站、光伏路灯照明……,这是既干净,又环保,且取之不尽用之不竭的能源。可是,目前人们对此技术的开发利用仅限于用半导体光电池板直接采集太阳光来实现光电转换。其效率极其有限,光电池板制作成本又高。故目前对此技术的开发利用推广受到很大制约。且据实验观测,在太阳光中只有紫外线光才能实现使半导体光电池板中的电能因子的能量才能得到激励。由低能态能级达到激发态能级的电能因子,然后实现定向有序自旋滚动的传递转移,从激发态的高能级向低能态能级传输。激发态高能级的电能因子的能量可使耗能器做功。经做功后输出的电能因子的能量处在低能态能级,再输入半导体光电池板中,实现再次激励,再做功。如此循环不断。在太阳光中有七种不同能级的光能因子,其各自是有不同的内在机能的能量值(即各自具有内在机能的载能因子及其能场相互传递转移的定域规范场的定域量值)。紫外线的光能因子能量最高,红外 线光的光能因子的能量最低,其它次之。用磁能因子的能量对这些不同能量层次的光能因子能量实现激励(同步辐射加速器的机理是如此,据悉目前已可使注入光加速到太阳光的200万倍),使之能达到同一能量层次。另凹镜、凸透镜聚焦、蓝宝石等也具有激励光能因子能量的功能。半导体光电转换板为激发态能级端(十极),其激发态的电能因子能量经耗能做功后传输到金属导线网(一极)中后,将此低能态能级的电能因子再次输入半导体光电转换板中重新实现激励,使之源源不断产生电流。此经激励后的太阳光能因子的能量,经实验检测,比直接采集太阳的自然光的光能因子的能量高100倍。该装置所产生的电量,也较之提高100倍。按此设计图纸的技术要求制作的每个半导体光电转换螺旋管的展开面积3.78m2计算,其可产生1·1MW(兆瓦)电量。
二、凹镜、凸透镜聚焦太阳光能量的机理
太阳每时每刻都向地球以及周围空间传递转移巨大的光能因子及其能场的能量。
传统的封闭时空观及光的波动性、光的波粒二相性理论认为太阳光是七种不同波长、频率的电磁波,其能量是靠电磁波传递的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的