[发明专利]陶瓷生片用抗静电剂组合物

权利要求书

1.一种陶瓷生片用抗静电剂组合物，其含有下述通式(I)所示的化合物和有机溶剂，在该组合物中，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，铁离子的含量为0.010重量份以下，

式中，R表示碳数为8～22的烷基；A表示碳数为2～4的亚烷基；n表示氧化烯基的平均加成摩尔数，其为1～30的数；R¹、R²和R³分别独立地表示氢原子、碳数为1～18的烷基或碳数为1～3的羟基烷基，并且R¹、R²和R³中的至少一个是碳数为1～3的羟基烷基。

2.根据权利要求1所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物，其中，在抗静电剂组合物中，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，钠离子的含量为0.020重量份以下。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物，其中，所述有机溶剂的溶解度参数为15.0～30.0(MPa)^1/2。

4.根据权利要求1或2所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物，其中，所述有机溶剂是选自醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、二醇系溶剂和二醇醚系溶剂中的一种以上。

5.根据权利要求1或2所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物，其中，R¹、R²和R³是羟基乙基。

6.根据权利要求1或2所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物，其中，A是亚乙基。

7.一种陶瓷浆料组合物，其含有权利要求1～6中任一项所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物、陶瓷材料和有机溶剂。

8.根据权利要求7所述的陶瓷浆料组合物，其中，所述陶瓷材料含有钛酸钡。

9.根据权利要求7所述的陶瓷浆料组合物，其中，在陶瓷浆料组合物中，相对于所述陶瓷材料100重量份，所述通式(I)所示的化合物的含量为0.05～2.5重量份。

10.一种陶瓷生片，其是使用权利要求7～9中任一项所述的陶瓷浆料组合物得到的。

11.一种陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法，其是权利要求1～6中任一项所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法，其中，将含有所述通式(I)所示的化合物和所述有机溶剂的混合物用吸附剂进行吸附处理。

12.根据权利要求11所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法，其中，所述通式(I)所示的化合物是通过将下述通式(II)所示的化合物和下述通式(IV)所示的化合物进行混合而得到的，

RO-(AO)_n-SO₃H    (II)

式中，R、A和n的定义与所述化合物(I)的情况相同，

式中，R¹、R²和R³的定义与所述化合物(I)的情况相同。

13.根据权利要求11所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法，其中，所述吸附剂中的氧化铝含量为25～70重量％。

14.根据权利要求11所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法，其中，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，所述吸附剂的添加量为0.7～7重量份。

15.一种抗静电剂组合物在陶瓷生片中的用途，其中，所述抗静电剂组合物含有下述通式(I)所示的化合物和有机溶剂，在该组合物中，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，铁离子的含量为0.010重量份以下，

式中，R表示碳数为8～22的烷基；A表示碳数为2～4的亚烷基；n表示氧化烯基的平均加成摩尔数，其为1～30的数；R¹、R²和R³分别独立地表示氢原子、碳数为1～18的烷基或碳数为1～3的羟基烷基，并且R¹、R²和R³中的至少一个是碳数为1～3的羟基烷基。