[发明专利]发光二极管封装结构的制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构的制作方法，包括以下步骤：

1)在绝缘衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层，形成外延层；

2)采用光刻工艺在p型层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型层的表面形成第一台面，在p型层上面的另一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达绝缘衬底的表面，形成第二台面；

3)在第一台面及第二台面上制作导电通孔，在导电通孔内填充导电金属；

4)在靠近第二台面外延层的一侧并覆盖部分p型层的上表面，制作绝缘层；

5)在绝缘层上并覆盖绝缘层制作p电极，该p电极覆盖部分p型层，并与导电通孔中的导电金属连接；

6)在第一台面上的导电通孔上制作n电极，该n电极与导电通孔中的导电金属连接；

7)将绝缘衬底减薄；

8)在减薄后的绝缘衬底的背面的两侧分别制作第一背电极和第二背电极，该第一背电极和第二背电极分别通过导电通孔中的导电金属与p电极和n电极连接，以上得到器件的基底；

9)在器件的基底上封装一光学元件，完成基底上器件的制作；

10)采用机械方式将基底上器件切割成独立的器件。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中所述外延结构中的n型层和p型层为正置或颠倒。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中绝缘衬底的材料为蓝宝石或碳化硅或氮化铝。

4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中n型层的材料为n型氮化镓。

5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中有源层的材料为氮化镓材料制作的量子阱结构。

6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中p型层的材料为p型氮化镓。

7.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中隔离层的材料为氧化硅或氮化硅。

8.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中p电极、n电极、第一背电极和第二背电极为导电金属。

9.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其中光学元件为树脂、硅胶或玻璃，或及其组合。