[发明专利]一种电抗调节的T型端口平面集成波导环行器

权利要求书

1.一种电抗调节的T型端口平面集成波导环行器，具有镜面对称结构；包括一个正三角形介质腔、三段平面集成波导、一个中心结旋磁铁氧体；所述三段平面集成波导包括两段弧线形平面集成波导和一段直线形平面集成波导，三段平面集成波导的三个内部端口分别与正三角形介质腔的三个边相连、另外三个外部端口作为环行器的输入或输出端口；所述三段平面集成波导的三个外部端口形成T型端口结构，即两段弧线形平面集成波导的外部端口相互平行且垂直于直线形平面集成波导的外部端口；所述正三角形介质腔和三段平面集成波导由两面沉积金属层的介质材料整体加工而成，其中三段平面集成波导的侧壁由连接两面金属层的金属化通孔形成；所述中心结旋磁铁氧体的形状为圆柱体，位于正三角形介质腔中心、其两个圆形表面与介质材料两面的金属层平行、且高度不超过介质层厚度；

若弧线形平面集成波导的长度大于直线形平面集成波导的长度，则在两段弧线形平面集成波导中各开出一个感抗性金属化通孔，并在直线形平面集成波导中开出一个容抗性金属化空穴，所述容抗性金属化空穴的高度小于介质层厚度；若弧线形平面集成波导的长度小于直线形平面集成波导的长度，则在两段弧线形平面集成波导中各开出一个容抗性金属化空穴，所述容抗性金属化空穴的高度小于介质层厚度，并在直线形平面集成波导中开出一个感抗性金属化通孔。

2.根据权利要求1所述电抗调节的T型端口平面集成波导环行器，其特征在于，所述T型端口平面集成波导环行器还包括一个偏置磁化铁氧体；所述偏置磁化铁氧体位于所述中心结旋磁铁氧体的正上方或正下方。

3.根据权利要求1所述电抗调节的的T型端口平面集成波导环行器，其特征在于，所述三段平面集成波导的等效宽边尺寸其中μ是平面集成波导内介质材料的磁导率、ε是平面集成波导内介质材料的介电常数。

4.根据权利要求1或3所述电抗调节的的T型端口平面集成波导环行器，其特征在于，所述环行器中平面集成波导两排金属化通孔圆心之间的距离a、金属通孔的直径d和相邻两个金属通孔圆心之间的距离p满足有效宽度的经验公式

5.根据权利要求1所述电抗调节的的T型端口平面集成波导环行器，其特征在于，所述中心结旋磁铁氧体满足一面为磁壁而另一面为电壁的λ/4开路介质共振模式其中K₀＝2π/λ₀，中心结旋磁铁氧体半径为R、高度为h、介电常数为ε_f。

6.根据权利要求1所述电抗调节的的T型端口平面集成波导环行器，其特征在于，所述电抗调节的T型端口平面集成波导环行器还包括渐变式微带线过渡连接结构；所述渐变式微带线过渡连接结构一端与环行器的输入或输出端口相连，另一端与环行器的外部微带电路相连；渐变式微带线的渐变方式为直线渐变或曲线渐变方式。