[发明专利]发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光元件的封装方法及其治具，且特别是有关于一种发光二极管晶粒模块的封装方法及其移取治具(fixture)。

背景技术

现今发光二极管晶粒的封装方法，大致与一般晶粒封装相似。图1即绘示一现有的发光二极管晶粒模块的剖视图。

请参照图1，在进行发光二极管晶粒100的封装时，首先点覆银胶11(glue)于预制的封装座12中。接着，将贴附在蓝胶(blue tape)上并裁切成多个发光二极管晶粒100的晶圆，逐粒以真空吸附方式将每一发光二极管晶粒100自蓝胶上取下后，并趁银胶11未干固前依序置入点覆有银胶11的封装座12中，以利用银胶11沾附住发光二极管晶粒100。之后，再进行烘烤令银胶11固化，使发光二极管晶粒100借银胶11固着于封装座12上，制得如图1所示的发光二极管晶粒模块1。然后，再进行例如打线、填注光学胶、切割等过程，而制得发光二极管光源模块(未绘示)。

上述工艺本身并无太大的缺陷而适用于业界量产发光二极管晶粒模块1。然而，对所制作出的发光二极管晶粒模块1而言，因为预先产得的封装座12本身存在机械加工之限制，以致无法随发光二极管晶粒100的大小而缩减体积，产生封装座12与晶粒100不匹配之情形，所以存在有体积仍嫌过大的问题。

有鉴于此，专利档第096141685号即提出一种新的发光二极管封装技术，以解决上述问题。从而可将封装制得的发光二极管晶粒模块体积有效缩减，并同时改善发光亮度的问题。

然而，该技术于实际导入量产时，光刻胶是作为牺牲层的较佳选择之一，但因光刻胶涂布后会逐渐干固，所以在逐粒将多个发光二极管晶粒嵌置入涂布的光刻胶(即牺牲层)的过程中，会发生无法及时在光刻胶干固前将所有的发光二极管晶粒逐粒嵌置于涂布的光刻胶中的问题，进而造成实际上量产的困难。

发明内容

本发明提供一种发光二极管晶粒模块的封装方法，其可实际量产发光二极管晶粒模块。

本发明提供一种移取治具，其适于在发光二极管晶粒模块封装方法中，同步移取多个发光二极管晶粒。

本发明提供一种发光二极管晶粒模块的封装方法，其适于量产多个发光二极管晶粒模块。每一发光二极管晶粒模块包括至少一发光二极管晶粒。所述封装方法包括一配置牺牲层步骤、一同步配置晶粒步骤、一定义成型步骤、一蚀刻步骤。配置牺牲层步骤是在一基板上，配置一第一牺牲层。同步配置晶粒步骤是在第一牺牲层尚未固化前，同步配置发光二极管晶粒于第一牺牲层中。定义成型步骤是在固化的第一牺牲层上，以一第一材料、一第二牺牲层以及一第二材料形成一支撑基层，其中第二牺牲层定义一模块图像，而支撑基层包括第一材料及第二材料。蚀刻步骤是移除第一牺牲层及模块图像，以得到发光二极管晶粒模块，其中每一发光二极管晶粒模块包括对应的支撑基层。

在本发明的一实施例中，在涂布牺牲层步骤中，第一牺牲层的厚度不大于发光二极管晶粒的高度。

在本发明的一实施例中，在同步配置晶粒步骤之前，上述的封装方法更包括一排置晶粒步骤以及一移取晶粒步骤。排置晶粒步骤是将发光二极管晶粒置入一移取治具的一承载盘中对应的容放位置。移取晶粒步骤为同步且对应地移取置放于承载盘中的发光二极管晶粒。

在本发明的一实施例中，在排置晶粒步骤中，以真空吸附、黏性贴附、磁性贴附、夹取或卡合方式，逐粒将每一发光二极管晶粒自一贴附在蓝胶上且包括发光二极管晶粒的晶圆上取下，并依序且一对一地将发光二极管晶粒置入承载盘中呈阵列排列的容放位置。

在本发明的一实施例中，上述的移取治具包括多个吸头。在移取晶粒步骤中，通过移取治具的吸头，以真空吸取方式，同步且一对一地吸取置放于承载盘中的发光二极管晶粒。

在本发明的一实施例中，在同步配置晶粒步骤之后，上述的封装方法更包括一固着晶粒步骤。固着晶粒步骤是令第一牺牲层固化，以使发光二极管晶粒固着。

在本发明的一实施例中，上述的定义成型步骤包括如下步骤。在固化的第一牺牲层上，以第一材料形成一反射镜膜。以第二牺牲层在反射镜膜上定义模块图像，形成多个独立且裸露区域。以第二材料分别在独立且裸露区域上形成一基底，其中每一基底所对应的反射镜膜的区域为一反射镜，而反射镜与基底共同形成支撑基层。

在本发明的一实施例中，上述的定义成型步骤包括如下步骤。在固化的第一牺牲层上，以第二牺牲层定义模块图像，形成多个独立且裸露区域。依序以第一材料与第二材料分别在独立且裸露区域上形成一反射镜和一基底，其中反射镜与基底共同形成支撑基层。