[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，其包括发光结构，所述发光结构包括；

第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层，

其中，所述第一导电半导体层是包括GaN并且掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层；

其中，所述第一导电半导体层包括第一n型半导体层以及在所述第一n型半导体层和所述有源层之间的第二n型半导体层；

其中，所述第一n型半导体层的一个表面接触所述第二n型半导体层；以及

其中，所述第一n型半导体层的、与所述第二n型半导体层接触的所述表面被形成为N相。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述第一n型半导体层的厚度范围为2至3μm。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，

所述n型掺杂剂包括Si、Ge和Sn中的任何一种。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中，

所述第一n型半导体层具有第一折射率，并且所述第二n型半导体层具有第二折射率，以及其中所述第一折射率等于或小于所述第二折射率。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，进一步包括：

第二电极，所述第二电极被设置在所述第二导电半导体层上；

衬底，所述衬底被设置在所述第一导电半导体层下方；以及

反射层，所述反射层在所述衬底和所述第一导电半导体层之间，其中所述有源层和第二传导半导体被部分地去除以暴露所述第一导电半导体层的顶面的一个部分，并且第一电极被设置在所述第一导电半导体层的暴露顶面上。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，

所述反射层包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Af中的任何一种。

7.根据权利要求5或6所述的发光器件，进一步包括：

粘合层，所述粘合层在所述衬底和所述反射层之间。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，

所述粘合层包括聚合物树脂。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的发光器件，进一步包括：

光透射电极层，所述光透射电极层被设置在所述第二导电半导体层上。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述光透射电极层的至少一个区域被去除，并且所述第一电极通过所述被去除的区域来接触所述第二导电半导体层。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，进一步包括：

衬底，所述衬底被设置在所述第二半导体层下方；

第一电极，所述第一电极在所述衬底和所述第二导电半导体层之间；以及

第二电极，所述第二电极被设置在所述第一导电半导体层上。

12.根据权利要求11所述的发光器件，进一步包括：

不平坦部，所述不平坦部具有被形成在所述第一导电半导体层上的预定粗糙度。

13.一种照明系统，其包括根据权利要求1至12中任一项所述的发光器件。

14.一种用于制造发光器件的方法，包括：

在第一衬底上设置具有第一表面和第二表面的第一n型半导体层的第一过程；

在所述第一n型半导体层的所述第一表面上设置第二衬底的第二过程；

去除在所述第一n型半导体层下方形成的所述第一衬底以暴露所述第二表面的第三过程；

蚀刻所述第一n型半导体层的所述第二表面的第四过程；

在所述第一n型半导体层的所述第二表面上设置第二n型半导体层的第五过程；

在所述第二n型半导体层上形成有源层的第六过程；以及

在所述有源层上设置第二导电半导体层的第七过程。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，

所述第一导电半导体层包括GaN，并且所述第一n型半导体层的所述第二表面与所述第一n型半导体层进行接触并且被形成为N相。

16.根据权利要求14或15所述的方法，其中，所述第二衬底具有反射层，并且所述反射层在所述第一n型半导体层和所述第二衬底之间。