[发明专利]半导体装置、启动电路及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201110197611.6 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102882363A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 陈永初;胡智闵;陈立凡 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H01L27/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 启动 电路 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种启动电路,包括:

一半导体元件;

一第一电路,是由一个二极管或以串联方式电性连接的多个二极管所构成;

一第二电路,是由一个二极管或以串联方式电性连接的多个二极管所构成,其中该半导体元件被耦接于该第一电路与该第二电路之间的一第一节点;

一电压输入端,耦接于该半导体元件;以及

一电压输出端,耦接于该半导体元件与该第一电路之间的一第二节点。

2.根据权利要求1所述的启动电路,其中,

该半导体元件包括一源极、一漏极与一栅极,

该电压输入端被耦接该漏极与该源极其中一个,

该电压输出端被耦接该漏极与该源极其中另一个,

该第一节点被耦接该栅极,

该电压输出端的电压是对该第一电路与该第二电路的该多个二极管造成一逆向偏压。

3.根据权利要求1所述的启动电路,其中,

该半导体元件为N型空乏型晶体管,并包括一源极、一漏极与一栅极,

该电压输入端被耦接该漏极,

该电压输出端被耦接该源极与该第一电路的二极管的阴极,

该第一节点位于该栅极、该第一电路的二极管的阳极与该第二电路的二极管的阴极之间,

该第二电路的二极管的阳极接地。

4.根据权利要求1所述的启动电路,其中该第一电路与该第二电路的该多个二极管包括PN结二极管或齐纳二极管。

5.根据权利要求1所述的启动电路,其中该启动电路是应用于切换式电源供应器。

6.一种启动电路的操作方法,其中该启动电路包括:

一半导体元件;

一第一电路,是由一个二极管或以串联方式电性连接的多个二极管所构成;

一第二电路,是由一个二极管或以串联方式电性连接的多个二极管所构成,其中该半导体元件被耦接于该第一电路与该第二电路之间的一第一节点;

一电压输入端,耦接于该半导体元件;以及

一电压输出端,耦接于该半导体元件与该第一电路之间的一第二节点,该启动电路的操作方法包括:

提供一输入电压至该电压输入端,以使一电流从该电压输入端经过该晶体管而至该电压输出端,并在该电压输出端产生一输出电压,其中该输出电压是对该第一电路与该第二电路的该多个二极管造成一逆向偏压。

7.根据权利要求6所述的启动电路的操作方法,其中该输入电压相近于该输出电压。

8.根据权利要求6所述的启动电路的操作方法,更包括截止该半导体元件,其中截止该半导体元件的方法包括使该启动电路符合条件:该半导体元件的该栅极至该源极的压差VGS大于该晶体管的阈值电压。

9.一种半导体装置,包括:

一半导体元件,包括一源极、一漏极与一栅极,其中该栅极位于该源极与该漏极之间;

一第一二极管元件,耦接于该源极与该栅极之间;以及

一第二二极管元件,其中该栅极耦接于该第一二极管元件与该第二二极管元件之间的一第一节点。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,更包括一介电结构,其中该第一二极管元件与该第二二极管元件位于该介电结构上并通过该介电结构分开于该半导体元件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110197611.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top