[发明专利]具有良好雾度及导电度的导电基板无效
申请号: | 201110196921.6 | 申请日: | 2011-07-08 |
公开(公告)号: | CN102867858A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 李炳寰 | 申请(专利权)人: | 亚树科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/02 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人: | 王昭林;崔华 |
地址: | 中国台湾台南市新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 良好 导电 | ||
技术领域
本发明涉及一种导电基板,特别是涉及一种应用于太阳能电池并具有良好雾度及导电度的导电基板。
背景技术
参阅图1,为一种已知薄膜太阳能电池1,包含:一个以玻璃为主要成份的透明的基材11、一形成于该基材11的表面的导电基板12、一形成于该导电基板12的表面的磊晶层13,以及一金属电极14。当光线通过该基材11及该导电基板12进入该磊晶层13时,在该磊晶层13发生光电转换效应而使光能转换成电能,并且由该导电基板12及该金属电极14配合将电能传输到外部。
然而,由于光进入磊晶层13后并非立刻全部转换成电能,有部分的光会继续行进,甚至反射后经该导电基板12而离开该薄膜太阳能电池1。因此对于薄膜太阳能电池1而言,为了有最大量的光留在磊晶层13中转换变成电能,该导电基板12一方面必须为透明的,以供最大量的光穿透进入该磊晶层13中,另一方面还必须具有一定的雾度以阻止进入该磊晶层13中的光反射离开。而且该导电基板12必须具有良好的导电特性以利于电能的传输。因此,开发出一种兼具良好雾度及导电度的导电基板12为相当重要的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用双层薄膜的配合而具有良好雾度及导电度的导电基板。
本发明具有良好雾度及导电度的导电基板,包含一基材以及一个披覆在该基材的表面的薄膜单元,该薄膜单元包括相叠合的一层第一薄膜与一层第二薄膜,所述第一薄膜及第二薄膜的材料皆选自于下列材料所组成的群组:氧化锡、氧化锌、氧化铟及前述材料的任一组合,而且该第二薄膜的材料含有氟。
优选地,本发明所述的具有良好雾度及导电度的导电基板,该导电基板的雾度不小于7%,该薄膜单元的片电阻不大于20Ω/sq。
优选地,本发明所述的具有良好雾度及导电度的导电基板,对于可见光的透光度不小于30%。
本发明的有益效果在于:通过特定材料的第一薄膜及第二薄膜的配合,使本发明具有良好的导电性及足够大的雾度,对于可见光的透光度也保持在一定以上的水准,有利于薄膜太阳能电池的应用。
附图说明
图1是一种已知薄膜太阳能电池的示意图;
图2是一个薄膜太阳能电池的示意图,同时显示本发明具有良好雾度及透光度的导电基板的优选实施例;
图3为透光度相对于光波长(单位为奈米(nm))的曲线图,显示该优选实施例与一个比较例的透光度随着波长的变化。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
参阅图2,本发明具有良好雾度及透光度的导电基板2的一优选实施例,是应用于一个薄膜太阳能电池3中,该薄膜太阳能电池3除了包含该导电基板2以外,还包括一个位于该导电基板2下方并用于将光能转换成电能的磊晶层31,以及一个与该导电基板2配合将电能输出至外部的电极层32。所述导电基板2包含:一个位于上方并朝向光线入射的一侧的基材21,以及一个披覆在该基材21表面的薄膜单元22。
所述基材21的材质没有特殊限制,只要可透光就可以,例如玻璃材质。
该薄膜单元22包括一层位于该基材21表面的第一薄膜221,以及一层与该第一薄膜221相叠合的第二薄膜222。该第一薄膜221及该第二薄膜222的主要材料皆选自于下列材料所组成的群组:氧化锡(SnOx)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟(InOx)及前述材料的任一组合。而且该第二薄膜222的材料还另外含有重量百分比为10%的氟。此外,该第一薄膜221及第二薄膜222还可以掺杂有锡(Sn)。
该第一薄膜221的制作方法,是先使该基材21温度升高,并于基材21表面持续喷洒一第一导电镀液,此过程进行数十分钟后,就可以制得由该第一导电镀液所形成的该第一薄膜221。该第二薄膜222的制作方法,是在该第一薄膜221的表面持续喷洒一第二导电镀液,此过程进行数十分钟后,就可以制得由该第二导电镀液所形成的该第二薄膜222。上述形成第一薄膜221及第二薄膜222的方式为喷雾裂解法(spray pyrolysis method)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的