[发明专利]一种具有栅极漏电补偿的电流镜电路无效
| 申请号: | 201110196909.5 | 申请日: | 2011-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN102331809A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
| 发明(设计)人: | 郭亚炜;李立;程旭;曾晓洋 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
| 主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
| 地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 栅极 漏电 补偿 电流 电路 | ||
1.一种具有栅极漏电补偿的电流镜电路,其特征在于由参考电流输入级和镜像电流输出级,以及一个运算放大器构成;所述运算放大器具有正负两个输入端和一个输出端,从参考电流输入级输入参考电流,运算放大器的正输入端连接在参考电流输入级的输入端;运算放大器的输出端和负输入端连接,构成单位增益放大器,即闭环增益为一;运算放大器的输出端连接参考电流输入级和镜像电流输出级的公共节点,即MOS管栅极。
2.如权利要求1所述的具有栅极漏电补偿的电流镜电路,其特征在于所述参考电流输入级和镜像电流输出级为同类型的MOS管,即同为PMOS管,或同为NMOS管。
3.如权利要求1或2所述的具有栅极漏电补偿的电流镜电路,其特征在于所述参考电流输入级由第一个MOS管组成,镜像电流输出级由第二个MOS管组成;当所述第一个MOS管和第二个MOS管为PMOS管时,其源极连接到电源;当所述第一个MOS管和第二个MOS管为NMOS管时,其源级连接到地。
4.如权利要求3所述的具有栅极漏电补偿的电流镜电路,其特征在于所述参考电流输入级中,所述第一个MOS管的漏极连接第三个MOS管的源级;所述镜像电流输出级中,所述第二个MOS管的漏极连接第四个MOS管的源级,所述第三个MOS管和第四个MOS管的栅极均连接在第一个公共的偏置电压节点,即参考电流输入级和镜像电流输出级分别由共源共栅电路组成;依此类推,参考电流输入接和镜像电流输出级分别由叠加更多MOS管的共源共栅电路组成。
5.如权利要求4所述的具有栅极漏电补偿的电流镜电路,其特征在于所述参考电流输入级的输入端,就是所述第一个MOS管的漏极;如果参考电流输入级是共源共栅电路,所述参考电流输入级的输入端就是所述第三个MOS管的漏极;如果是更多个MOS管叠加的共源共栅电路,依此类推。
6.如权利要求1所述的具有栅极漏电补偿的电流镜电路,其特征在于所述镜像电流输出级有多个,每个镜像电流输出级具有相同的电路结构。
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