[发明专利]电浆蚀刻设备、晶圆治具及设置晶圆的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电浆蚀刻设备及晶圆治具，特别是涉及一种可自动化加载晶圆的电浆蚀刻设备、晶圆治具及设置晶圆的方法。

背景技术

现有用于晶圆的电浆蚀刻设备是使用圆形的电极，而承载晶圆的治具也配合电极为圆形。参阅图1，由于晶圆治具9的外轮廓为圆形，而一般晶圆容置槽91是呈数组排列，且大致呈方形排列，因而受限于晶圆治具9的圆形边界，使得晶圆治具9的整体面积并未能充分的利用。例如图1所示，在相邻边界的部分区域92(方形排列的晶圆容置槽91外侧区域)其宽度容不下一个晶圆容置槽91，但是该等区域92加总的面积还可以再容纳几个晶圆容置槽91，所以该等区域92即为浪费的空间。

再者，由于晶圆治具的外轮廓为圆形，没有方向性，欲将已承载晶圆的晶圆治具置入电浆蚀刻设备的电极上时，不容易将晶圆治具定位，所以无法利用机器手臂自动摆放，需增加作业时间及人力成本。

发明内容

本发明的目的，在于提供一种可以增加设置晶圆空间的电浆蚀刻设备。

本发明的另一目的，在于提供一种用于电浆蚀刻设备的晶圆治具。

本发明的再一目的，在于提供一种在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法。

本发明电浆蚀刻设备包含一反应腔体、一设于该反应腔体内的下电极、一设于该反应腔体内并对应位于该下电极上方的上电极以及一晶圆治具，该晶圆治具覆盖于该下电极上，并具有一呈方形的底板，该底板设有多个分别用于容置晶圆的晶圆容置槽。

较佳地，该晶圆治具还具有一盖板，该盖板覆盖于该底板上，并具有多个分别对应所述晶圆容置槽的开口，且各开口的内径小于各晶圆容置槽的内径，该盖板位于各开口周侧的部分压抵于各晶圆的周缘。

较佳地，该下电极还具有一冷却系统，该冷却系统包括多个设于该本体顶面且朝向该晶圆治具的出气孔。

较佳地，该盖板的每一开口呈截头倒锥状。

较佳地，该晶圆治具的每一晶圆容置槽与该冷却系统相连通。

较佳地，所述晶圆容置槽是沿平行该底板侧边的方向纵横对齐排列。

较佳地，所述晶圆容置槽是沿平行该底板侧边的方向纵横错位排列。

本发明晶圆治具适用于电浆蚀刻设备，该晶圆治具包含一底板，该底板呈方形并排列设置有多个分别用于容置晶圆的晶圆容置槽。

较佳地，该晶圆治具还包含一覆盖于该底板上的盖板，该盖板具有多个分别对应所述晶圆容置槽的开口，且各开口的内径小于各晶圆容置槽的内径，使该盖板位于各开口周侧的部分压抵于各晶圆的周缘。

本发明电浆蚀刻设备包含一反应腔体、一设于该反应腔体内的下电极以及一设于该反应腔体内并对应位于该下电极上方的上电极，该下电极具有一呈方形的本体，该本体顶面设有多个分别用于容置晶圆的晶圆容置槽。

较佳地，该下电极还具有一设于该本体内的冷却系统。

本发明在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法是制备一呈方形的承载装置，并在对应该承载装置的方形的承载范围内布设多个晶圆。

较佳地，所述晶圆是呈纵横对齐排列。

较佳地，所述晶圆是呈纵横错位排列。

较佳地，所述晶圆是呈放射状排列。

较佳地，该承载装置为如前面所述的晶圆治具。

较佳地，该承载装置为如前面所述的下电极。

本发明的有益的效果在于：通过该电浆蚀刻设备中用以设置晶圆的承载装置(晶圆治具或下电极)呈方形，可以容纳较多的晶圆，达到最佳的空间利用率，提高生产效能，而且较容易定位，能够将加载晶圆至反应腔体内的流程自动化。

附图说明

图1是一示意图，说明现有电浆蚀刻设备的一晶圆治具；

图2是一示意图，说明本发明电浆蚀刻设备的第一较佳实施例；

图3是一示意图，说明本发明电浆蚀刻设备的第二较佳实施例；

图4是一示意图，说明本发明在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法的一实施态样；

图5是一示意图，说明本发明在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法的另一实施态样；

图6是一示意图，说明本发明在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法的再一实施态样。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明：

参阅图2，本发明电浆蚀刻设备的第一较佳实施例，可供设置多个晶圆5，包含一反应腔体1、一下电极2、一晶圆治具3及一设于反应腔体1内并对应位于下电极2上方的上电极4。