[发明专利]半环形谐振器陀螺仪有效

专利信息
申请号: 201110196249.0 申请日: 2011-05-27
公开(公告)号: CN102506841A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: R·D·霍尔宁;B·R·约翰逊;R·坎普顿;E·卡布斯 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01C19/56 分类号: G01C19/56;G01C25/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 原绍辉
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 环形 谐振器 陀螺仪
【权利要求书】:

1.一种振动结构陀螺仪,包括:

具有上表面的基底;以及

具有半环形形状的谐振器,所述谐振器包括杆部和环绕于所述杆部的外唇缘,所述杆部附接到所述基底的上表面并且所述外唇缘定位成与所述上表面分开以允许所述谐振器振动。

2.根据权利要求1所述的振动结构陀螺仪,其中,所述基底的上表面限定了环形腔以及锚柱,所述锚柱延伸穿过所述环形腔的中心部分,并且其中,所述谐振器的杆部附接到所述锚柱。

3.根据权利要求2所述的振动结构陀螺仪,进一步包括:

设置于所述环形腔和所述谐振器之间的泡层,其中,所述泡层包括在所述环形腔之上的半环形泡。

4.根据权利要求3所述的振动结构陀螺仪,进一步包括:

设置于所述泡层的外表面上的第一多个电极;设置于所述谐振器的内表面上的第二多个电极;以及

设置于所述谐振器的外表面上的连续的电极层。

5.根据权利要求4所述的振动结构陀螺仪,其中,所述第一多个电极、所述第二多个电极和所述连续的电极层包括多晶硅。

6.根据权利要求4或5所述的振动结构陀螺仪,其中,所述第二多个电极和所述连续的电极层的厚度小于约200埃。

7.根据权利要求3-6中任一项所述的振动结构陀螺仪,其中,所述泡层包括玻璃材料,并且其中,所述谐振器包括具有低热膨胀系数的玻璃材料。

8.一种制造振动结构陀螺仪的方法,所述方法包括:

在基底的第一表面上形成环形腔,所述环形腔限定位于所述环形腔的中心部分中的锚柱;

在所述基底的第一表面之上以及在所述环形腔之上形成泡层;

加热所述基底和所述泡层以在所述环形腔之上的所述泡层内形成半环形泡;

将牺牲层沉积于所述泡层的所述半环形泡之上;

在所述牺牲层内形成孔,所述孔置于所述环形腔内的所述锚柱之上;

将谐振层沉积于所述牺牲层上;以及

去除所述泡层和所述谐振层之间的所述牺牲层。

9.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:

在沉积所述牺牲层之前,将第一导电层沉积于所述泡层内的所述半环形泡之上;

对所述第一导电层进行蚀刻以形成多个电极;

将第二导电层沉积于所述牺牲层之上;

对所述第二导电层进行蚀刻以形成电极层;以及

将第三导电层沉积于所述谐振层之上;

将第一光阻材料层沉积于所述谐振层之上;

对所述光阻材料层进行曝光和显影以去除所述第一光阻材料层的平行于所述基底的第一表面的部分;

将第二光阻材料层印刷于所述谐振层的对应于所述半环形泡的部分之上,其中,所述第一光阻材料层的对应于谐振器外唇缘的边缘被剩下没有被所述第二光阻材料层覆盖;以及

使用定向蚀刻在垂直于所述基底的第一表面的方向上对所述谐振层进行蚀刻。

10.根据权利要求8和9中任一项所述的方法,其中,形成所述环形腔和所述锚柱包括使用同样的光掩膜对所述环形腔和所述锚柱进行蚀刻。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110196249.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top