[发明专利]含锡锑中间层的钌钯钴涂层钛电极无效
申请号: | 201110195199.4 | 申请日: | 2011-07-13 |
公开(公告)号: | CN102268688A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 安立超;卢强 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C25B11/04 | 分类号: | C25B11/04;C25B11/10 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含锡锑 中间层 钌钯钴 涂层 电极 | ||
1.一种含锡锑中间层的钌钯钴涂层钛电极,其特征在于:钛板主体[1]表面有若干层锡锑氧化物涂层[2]作为中间层,中间层表面有若干层钌钯钴氧化物涂层[3]作为表层;钌钯钴氧化物涂层[3]的组分形式为二氧化钌RuO2、氧化钯PdO、氧化钴CoO和氧化钴Co2O3,电极表层组分摩尔配比为n(Ru): n(Pd): n(Co)=1:(0.5~5):(0.35~3.5)。
2.根据权利要求1所述的含锡锑中间层的钌钯钴涂层钛电极,其特征在于:所述锡锑氧化物涂层[2]为3-7层,钌钯钴氧化物涂层[3]为15-24层。
3.根据权利要求1所述的含锡锑中间层的钌钯钴涂层钛电极,其特征在于:烧结温度为T=300~600℃。
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