[发明专利]像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备。

背景技术

高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

现有的AD-SDS模式液晶显示器中阵列基板的结构如图1所示，该阵列基板包括：形成在透明衬底上的多条相互平行的栅极线101、公共布线(图中未示出)；垂直于栅极线101的多条数据线102，相邻的两条栅极线101与相邻的两条数据线102所包围的部分为一个最小单元，该最小单元构成一个像素单元。图1示出了4个结构完全相同的像素单元，此处仅对左上角的一个像素单元中各组成部分进行了标注。像素单元包括：连接公共电极的透明的对置电极103，其覆盖整个像素单元；在对置电极103表面上隔着透明绝缘膜(图中未示出)设置的像素电极104，该像素电极104具有多条狭缝105，呈く状排列，即该像素单元内上半部分像素电极104狭缝105的倾斜方向与下半部分像素电极104狭缝105的倾斜方向沿像素电极的中轴线X对称，按此方式设置狭缝105，可以防止具有该像素单元的液晶显示器因视角变化而导致的颜色变化。

图1所示的阵列基板还包括设置在栅极线101与数据线102交点附近的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称为：TFT)106，TFT106的源极部分与数据线102的延伸部分电连接，该TFT106的漏极部分通过过孔(图中未示出)与具有多条狭缝105的像素电极104电连接。

在使用上述AD-SDS模式液晶显示器的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：像素电极的中轴线附近为两种不同倾斜方向的狭缝交汇的位置，当在像素电极与对置电极间施加电压时，对应该位置的液晶分子会受到两个方向的电场作用，由于两个电场相互抵消，因此该位置的液晶分子基本不旋转，导致该位置的透光率很低，进而降低了整个液晶显示器的开口率。

发明内容

本发明的实施例提供一种像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备，可提高像素单元的透光率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种像素单元，包括分别位于栅极线两侧的具有第一狭缝的第一部分像素电极及具有第二狭缝的第二部分像素电极，所述第一部分像素电极与第二部分像素电极电连接，且所述第一狭缝的倾斜方向与所述第二狭缝的倾斜方向沿所述栅极线对称；在所述第一部分像素电极所属的第一最小单元内，除所述第一部分像素电极之外的区域上覆盖有具有第三狭缝的第三部分像素电极；所述第三狭缝的倾斜方向与所述第一狭缝的倾斜方向相同，且所述第三部分像素电极与所述第一部分像素电极在电学上相互隔离；在所述第二部分像素电极所属的第二最小单元内，除所述第二部分像素电极之外的区域上覆盖有具有第四狭缝的第四部分像素电极；所述第四狭缝的倾斜方向与所述第二狭缝的倾斜方向相同，且所述第四部分像素电极与所述第二部分像素电极在电学上相互隔离。

一种阵列基板，具有上述像素单元。

一种液晶面板，包括：彩膜基板及上述阵列基板。

一种液晶面板，其彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的数据线和栅极线相对应。

一种显示设备，包括上述的液晶面板。

本发明实施例提供的像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备中，由于组成该像素单元的一部分像素电极包含于一个最小单元内，且该最小单元内组成不同像素单元的各部分像素电极上的狭缝具有相同的倾斜方向，因此，解决了现有技术中，最小单元内不同倾斜方向的狭缝在最小单元中心区域形成交汇区，导致对应于该中心区域的液晶分子不能正常旋转、影响透光率的问题，可增加该像素单元的透光率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有AD-SDS模式液晶显示器中阵列基板的局部平面示意图；