[发明专利]透明导电层及其形成方法无效
申请号: | 201110192328.4 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102315321A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | J·M·弗里 | 申请(专利权)人: | 初星太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 柯广华;朱海煜 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 及其 形成 方法 | ||
1.一种用于形成透明导电层的方法,所述方法包括:
提供包括镉、锡和氧的层;
将集中电磁能(503)从能源(501)引向所述层的至少一部分以将所述层的所述至少一部分局部加热;以及
将所述层结晶为氧化镉锡陶瓷。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述能源(501)从由激光器、射频、电子束、红外线、快速热处理/退火和其组合构成的组选择。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述能源(501)是激光器。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述能源(501)包括从大约100nm至大约1500nm的波长。
5.如权利要求3所述的方法,其中所述能源(501)包括从由266nm、350nm、532nm和1064nm构成的组选择的波长。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述层是光伏电池(107)的第一传导层(203)。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述氧化镉锡陶瓷具有比所述层更大的透明度。
8.如权利要求1所述的方法,其中所述氧化镉锡陶瓷具有比所述层更大的电导率。
9.如权利要求8所述的方法,其中所述氧化镉锡陶瓷具有比所述层大至少50%的电导率。
10.如权利要求1所述的方法,其中所述氧化镉锡陶瓷包括多个晶相。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的