[发明专利]发光二极管元件

权利要求书

1.一种发光二极管元件，包含：

散热基座，具有凹陷部，其中该凹陷部包含：

嵌入部，包含底面及嵌入侧面；及

倾斜侧面，与该嵌入侧面接合；以及

发光二极管芯片，包含基板部分嵌入该嵌入部中，其中该基板的一侧面的下部区具有第一非平滑面，且该第一非平滑面具有一暴露部分突出于该嵌入部，该下部区的底边与该基板的底面接合。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该散热基座包含：

金属基座；

反射层，设于该金属基座上；以及

陶瓷层，设于该反射层上，其中该基板部分嵌设于该陶瓷层中。

3.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中该金属基座的材料包含铜、铜合金、铁/镍合金、镍、钨、钼、或上述金属的任意成分组合的合金。

4.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中该陶瓷层的材料包含一透明材料。

5.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该第一非平滑面具有一不规则状凹凸结构。

6.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该第一非平滑面具有一规则状凹凸结构。

7.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该基板的该侧面还包含：

中段区，接合在该下部区上，并包含该基板高度的一半的区域；以及

上部区，接合在该中段区上，且该上部区的一顶边与该基板的一顶面接合，其中该中段区及/或该上部区具有第二非平滑面。

8.如权利要求7所述的发光二极管元件，其中该第二非平滑面具有一不规则状凹凸结构。

9.如权利要求7所述的发光二极管元件，其中该第二非平滑面具有一规则状凹凸结构。

10.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该发光二极管芯片还包含：

外延结构，包含依序堆叠在该基板上的第一电性半导体层、有源层及第二电性半导体层，其中该第一电性半导体层具有一暴露部分；

透明导电层，位于该第二电性半导体层上；及

第一电极与第二电极，分别设于该第一电性半导体层的该暴露部分上及该透明导电层上。

11.如权利要求10所述的发光二极管元件，还包含：

第一电极垫与第二电极垫，分别设于该凹陷部的两侧的该散热基座上；以及

两根导线，分别连接该第一电极垫与该第一电极、以及该第二电极垫与该第二电极。

12.如权利要求11所述的发光二极管元件，还包含第三电极垫与第四电极垫设于该散热基座的下表面，其中该散热基座具有两个贯穿孔，且该散热基座包含两个导电插销分别填充于该些贯穿孔中、以及两个绝缘层分别隔离该些贯穿孔的内侧面与该些导电插销，该些导电插销分别电连接该第一电极垫与该第三电极垫、以及该第二电极垫与该第四电极垫。

13.如权利要求12所述的发光二极管元件，其中该些绝缘层的材料包含金属氧化物、二氧化硅或氮化硅。

14.如权利要求12所述的发光二极管元件，其中该些导电插销的材料包含铜、金或其合金。

15.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该倾斜侧面与该底面之间的一倾斜角从30度至60度。

16.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该倾斜侧面与该底面之间的一倾斜角实质为45度。

17.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该基板突出于该嵌入部的高度大于或等于该倾斜侧面的高度，以使该外延结构高于该倾斜侧面的顶部。

18.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该基板嵌入该嵌入部的部分的深度从5μm至10μm。

19.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该基板的该下部区的高度从20μm至35μm。