[发明专利]液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种提高穿透率的液晶显示装置。

背景技术

传统的扭转向列型液晶显示器（Twisted Nematic Liquid Crystal Display，TN LCD）的电极分别形成在两个基板上，其液晶分子是在与基板正交的平面内旋转，具有高穿透率、低功率损耗、工艺容易等优点。然而，由于靠近其两基板表面处的液晶指向相互垂直，使得其显示视角较窄。为了实现广视角显示，出现了采用边缘电场的边缘场切换（Fringe Field Switching， FFS）型液晶显示器以及采用水平电场的面内切换（In Plane Switching，IPS）型液晶显示器，FFS型液晶显示器与IPS型液晶显示器的电极均形成于同一基板上，其液晶分子是在与基板平行的平面内旋转，因而其视角特性得以改善，但其所需驱动电压一般较高，且其穿透率也有待提高。

图1为现有的一种液晶显示装置的局部平面图，其揭示一种具有特殊电极设置的液晶显示装置，其中，为了图示的清楚起见，省略了其中的第二基板；图2是沿图1中A-A线的局部剖面图，结合图1和图2所示，该液晶显示装置包括第一基板10、第二基板20以及夹于第一基板10与第二基板20之间的液晶层30。第一基板10包括透明基底101以及形成于透明基底101上的多条扫描线1、多条数据线2、多条公共电极线3和薄膜晶体管4，多条扫描线1和多条数据线2交叉限定多个像素区域。如图2所示，由直接形成在透明基底101上的透明导电材料层，例如ITO（Indium Tin Oxide）层形成公共电极102a和像素电极102b，由同样直接形成在透明基底101上的第一金属层形成公共电极线3，图2中的103a、103b、103c、103d均由公共电极线3的延伸部形成且均电性连接，公共电极102a与公共电极线3的延伸部有部分区域直接接触从而使其电性连接，栅极绝缘层104位于直接形成在透明基底上的ITO层和第一金属层的上方，数据线105a和105b形成在栅极绝缘层104上方，由第二金属层形成。数据线上方由钝化层106覆盖，位于钝化层106上方由ITO层107形成多个均呈条形的电极a、b、c、d、e、f、g、h，其中，a、b、e、f、g、h均为公共电极且均与公共电极线3电性连接，c、d为像素电极，并与像素电极102b电性连接，如图1所示，薄膜晶体管4的漏极通过过孔C1与像素电极c、d电性连接，同时像素电极c、d通过过孔C2与像素电极102b电性连接。每根数据线的相对两侧均具有与数据线大致平行的公共电极，以屏蔽液晶显示装置工作时数据线信号对像素电极的影响，如图1和图2所示，数据线105a的两侧具有公共电极a和公共电极b，数据线105b的两侧具有公共电极g和h，在垂直于透明基底101的方向上，公共电极a、b、g、h分别与公共电极线的延伸部103a、103b、103c、103d位置相对应，之间具有间隙的像素电极c、d与位于其下方的公共电极102a位置相对应组成一个电极组，之间具有间隙的公共电极e、f与位于其下方的像素电极102b位置相对应组成另外一个电极组，图1所示的像素区域中仅包含这两个电极组。

当液晶显示装置工作时，液晶分子受到像素电极与公共电极之间形成的水平电场和边缘电场的作用，从而对背光的透过量进行控制而实现不同灰阶的显示。图2仅示出当像素电极的电压大于公共电极的电压的情况，其电场线方向大致如图2中箭头方向所示，位于公共电极b和像素电极c之间的液晶分子受到由像素电极c到公共电极b的水平电场的作用，位于像素电极c和像素电极d之间的液晶分子受到由像素电极c到公共电极102a和由像素电极d到公共电极102a的边缘电场的作用，位于像素电极d和公共电极e之间的液晶分子受到由像素电极d到公共电极e的水平电场的作用，位于公共电极e和公共电极f之间的液晶分子受到由像素电极102b到公共电极e和由像素电极102b到公共电极f的边缘电场的作用，而公共电极f和公共电极g之间由于电位相等，因而没有水平电场产生，位于公共电极f和公共电极g之间（如图2中虚线圆圈区域所示）的液晶分子则不会受到电场的作用，因而无论液晶显示装置显示亮态或暗态时，该区域均为暗态，即图1中虚线框区域L始终显示暗态，因此，这种液晶显示装置的电极结构会影响到像素区域的穿透率的提高。

因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。

发明内容

本发明要解决的主要技术问题是提供一种液晶显示装置，其能够提高穿透率。