[发明专利]多晶硅膜检测装置以及检测方法

权利要求书

1.一种多晶硅膜检测装置，检测向前面照射激光而结晶化的多晶硅膜，包括：

光源部，向所述多晶硅膜的背面发射检测光，所述背面与所述前面相反；

验光部，对在所述多晶硅膜反射的检测光验光；以及

控制部，控制所述光源部和所述验光部。

2.根据权利要求1所述的多晶硅膜检测装置，其中，

所述多晶硅膜的所述前面包括结晶化时所形成的多个结晶化凸起；

所述多晶硅膜的所述背面与缓冲层或基板接触而平坦地形成。

3.根据权利要求2所述的多晶硅膜检测装置，其中，

所述多晶硅膜从所述前面开始被结晶化，

与所述多晶硅膜的所述背面相邻的部分区域为非晶或微晶状态。

4.根据权利要求2所述的多晶硅膜检测装置，其中，

结晶化所述多晶硅膜的所述激光为准分子激光。

5.根据权利要求2所述的多晶硅膜检测装置，其中，

所述缓冲层或所述基板由包括硅的材质形成。

6.根据权利要求2所述的多晶硅膜检测装置，其中，

所述多晶硅膜连同所述缓冲层或所述基板具有5％以上的光透过率。

7.根据权利要求1所述的多晶硅膜检测装置，其中，

所述多晶硅膜具有10nm至300nm范围内的厚度。

8.根据权利要求1至7中任意一项权利要求所述的多晶硅膜检测装置，其中，

所述检测光包括紫外线、红外线以及激光中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的多晶硅膜检测装置，其中，

用于测定的所述检测光为在所述多晶硅膜上具有50％以下的反射率的波段的检测光。

10.根据权利要求8所述的多晶硅膜检测装置，其中，

在所述检测光中，用于所述多晶硅膜的测定的波段大于385nm，小于或等于410nm。

11.根据权利要求8所述的多晶硅膜检测装置，其中，

通过反射测试法、拉曼光谱法以及椭圆偏振光谱法中的至少一种对所述多晶硅膜进行检测。

12.一种多晶硅膜检测方法，检测向前面照射激光而结晶化的多晶硅膜，包括：

向所述多晶硅膜的背面发射检测光，所述背面与前面相反；以及

对在所述多晶硅膜反射的检测光验光并分析。

13.根据权利要求12所述的多晶硅膜检测方法，其中，

所述多晶硅膜的所述前面包括结晶化时所形成的多个结晶化凸起；

所述多晶硅膜的所述背面与缓冲层或基板接触而平坦地形成。

14.根据权利要求13所述的多晶硅膜检测方法，其中，

所述多晶硅膜从所述前面开始被结晶化，

与所述多晶硅膜的所述背面相邻的部分区域为非晶或微晶状态。

15.根据权利要求13所述的多晶硅膜检测方法，其中，

结晶化所述多晶硅膜的所述激光为准分子激光。

16.根据权利要求13所述的多晶硅膜检测方法，其中，

所述缓冲层或所述基板由包括硅的材质形成。

17.根据权利要求13所述的多晶硅膜检测方法，其中，

所述多晶硅膜连同所述缓冲层或所述基板具有5％以上的光透过率。

18.根据权利要求12所述的多晶硅膜检测方法，其中，

所述多晶硅膜具有10nm至300nm范围内的厚度。

19.根据权利要求12至18中任意一项所述的多晶硅膜检测方法，其中，

所述检测光包括紫外线、红外线以及激光中的至少一种。

20.根据权利要求19所述的多晶硅膜检测方法，其中，

用于测定的所述检测光为在所述多晶硅膜上具有50％以下的反射率的波段的检测光。