[发明专利]一种十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型

权利要求书

1.一种十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型，其特征是：由12个非线性N阱电阻、8个PN结结电容和4个受电流控制的电压源构成中心对称的结构网络；将十字形器件分为一个中心区域和四个叉指区域，中心区域的有源区用R_H--R_D--C_B--V_H/2网络表示，叉指区域的有源区用R_F--C_F网络表示；

中心区域共包括4个内层十字电阻(R_D1～R_D4)，4个外层桥臂电阻(R_H1～R_H4)；其中4个内层十字电阻(R_D1～R_D4)的一端连接在一起构成十字中心端，相邻两个内层十字电阻的另一端之间连接一个外层桥臂电阻，构成呈十字对称的R_H--R_D网络；其各端口与该模型外端的接触端口之间分别连接一个叉指电阻

4个中心电容(C_B)分别位于R_H--R_D网络的端口与地之间；

4个叉指处各用一个叉指电阻(R_F)与一个受电流信号控制的电压源(V_H/2)相串联，串联后的两端分别接R_H--R_D网络的一端口和该模型电路外端的接触端口；4个叉指电容(C_F)分别位于该模型外端的接触端口与地之间；

4个受电流控制的霍尔电压源(V_H/2)位于中心R_H--R_D--C_B网络与叉指R_F--C_F网络之间。

2.根据权利要求1所述的十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型，其特征是所述的外层桥臂电阻(R_H)与内层十字电阻(R_D)，其计算方法为：

RH=2RSπ(LWπ-2ln2),]]>RHRD=2-8πln2L/W]]>

其中：L是十字形CMOS霍尔器件的叉指长度，W是十字形CMOS霍尔器件的叉指宽度，R_S是霍尔器件材料的方块电阻。