[发明专利]采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法

权利要求书

1.采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将医用高分子材料固定或移动经过磁控溅射设备的真空室内的处理台；

2)密封真空室，抽真空到本底真空度；

3)通入气体；

4)开启处理台和靶台的电源，处理材料，得到具有抗感染性和生物相容性的医用高分子材料。

2.根据权利要求1所述的采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法，其特征在于，所述步骤4)还包括开启等离子体源的电源处理材料0.001～5小时。

3.根据权利要求1或2所述的采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法，其特征在于，所述医用高分子材料包括聚酯、聚烯烃、聚氨酯、聚酰胺、纤维素中的一种或两种以上共混物。

4.根据权利要求3所述的采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法，其特征在于，所述医用高分子材料包括聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚氯乙烯、纤维素、聚醚醚酮、壳聚糖、甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙二醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙醇酸、聚乙烯、聚丙烯、聚乳酸、聚酰胺-66、聚酰胺-6中的一种或两种以上共混物。

5.根据权利要求1或2所述的采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法，其特征在于，所述气体包括氮气、氨气、氧气、氢气、氯气、二氧化硫、二氧化氮、二氧化碳、一氧化碳、甲烷、乙烷、乙炔、乙醇气体、丙酮气体、水蒸汽、四氯甲烷气体、二氯甲烷气体、醋酸气体、丙烯酸气体中的一种或两种以上气体与氩气的混合物。

6.根据权利要求1或2所述的采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法，其特征在于，所述真空室内通入气体后的真空度维持在1.0×10²～1.0×10^-2Pa。

7.根据权利要求1或2所述的采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法，其特征在于，所述靶台上放置靶材；所述靶材包括银、金、铝、镁、锌、钛、铜、铁、碳、磷、钙及它们的化合物、羟基磷灰石中的一种或两种以上混合物。

8.根据权利要求7所述的采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法，其特征在于，所述靶材为含量99％的锌、含量99％的银、含量99％的钛、羟基磷灰石中的一种或两种以上混合物。

9.根据权利要求2所述的采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法，其特征在于，所述等离子体源包括霍尔等离子体源、射频等离子体源、微波等离子体源；所述等离子体源的频率为1～50MHz，功率为0.001～3000W。

10.根据权利要求1或2所述的采用磁控溅射技术制备医用高分子材料的方法，其特征在于，所述医用高分子材料移动是将医用高分子材料以移动速率为0.1～100厘米/秒经过磁控溅射设备的真空室内的处理台；所述处理台的温度控制在25～250℃；所述靶台电源为直流电源或脉冲电源，电流大小为0.0001～10A。