[发明专利]有机电致发光显示器件及其制造方法和电子设备有效
申请号: | 201110190408.6 | 申请日: | 2011-07-08 |
公开(公告)号: | CN102339848A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 三并彻雄;内野胜秀 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G09G3/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭定辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 器件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种有机电致发光EL显示器件,包括:
像素阵列部分,其中排列具有有机EL元件的像素;以及
驱动电路部分,在与所述像素阵列部分相同的衬底上、在所述像素阵列部分的周围部分中提供,所述驱动电路部分具有包括电容性元件的电路配置,
其中,所述电容性元件使用通过与所述有机EL元件的有机层的处理相同的处理在所述像素阵列部分的周围部分中形成的有机层作为介电部件。
2.根据权利要求1所述的有机EL显示器件,其中,所述驱动电路部分是用于顺序地选择所述像素阵列部分的每一像素的扫描电路,
所述扫描电路具有通过将单沟道晶体管与电容性元件组合而获得的反相器电路,以及
所述反相器电路的电容性元件使用在所述像素阵列部分的周围部分中形成的有机层作为介电部件。
3.根据权利要求2所述的有机EL显示器件,其中,所述扫描电路具有包括所述有机层之下的单沟道晶体管的电路部分,所述有机层用作所述反相器电路的电容性元件的介电部件。
4.根据权利要求2所述的有机EL显示器件,其中,所述反相器电路包括:
第一晶体管,接收与经由输入端输入的输入电压对应的电压作为栅极输入,
第二晶体管,串联连接到所述第一晶体管,并具有连接到所述输入端的栅极电极,
第一电容性元件,连接在所述第一晶体管的栅极和源极之间,以及
第二电容性元件,连接在所述第一和第二晶体管之间的公共节点与所述输入端之间,
其中,所述第二电容性元件使用所述像素阵列部分的周围部分中形成的有机层作为介电部件。
5.根据权利要求4所述的有机EL显示器件,其中,所述第二电容性元件的电容值高于所述第一电容性元件的电容值。
6.根据权利要求5所述的有机EL显示器件,其中,所述像素具有迁移率校正能力,所述迁移率校正能力用于通过以与流经用于驱动所述有机EL元件的驱动晶体管的电流对应的校正量,将负反馈施加于所述驱动晶体管的栅源电压,来校正所述驱动晶体管的迁移率,以及
所述扫描电路创建用于使用所述反相器电路的输出脉冲作为基准来确定用于校正迁移率的校正时间的写扫描信号,并基于通过所述第二电容性元件的电容耦合来确定所述输出脉冲的转换定时。
7.根据权利要求2所述的有机EL显示器件,其中,所述电容性元件的有机层由发射单一类型光颜色的有机层构成。
8.一种显示装置,包括:
像素阵列部分,其中排列包括有机EL元件的像素;以及
驱动电路部分,在所述像素阵列部分的周围部分中提供,所述驱动电路部分包括电容性元件,
其中,所述电容性元件使用与所述有机EL元件的有机层的相同的有机层作为介电部件。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述驱动电路部分具有通过将晶体管与电容性元件组合而获得的反相器电路。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述反相器电路具有在所述电容性元件的有机层之下提供的晶体管。
11.一种制造有机EL显示器件的方法,所述有机EL显示器件包括:像素阵列部分,其中排列具有有机EL元件的像素;以及驱动电路部分,在与所述像素阵列部分相同的衬底上、在所述像素阵列部分的周围部分中提供,所述驱动电路部分具有包括电容性元件的电路配置,所述方法包括:
通过与所述有机EL元件的有机层的处理相同的处理,在所述像素阵列部分的周围部分中形成有机层;以及
通过使用在所述像素阵列部分的周围部分中形成的有机层作为介电部件来形成所述电容性元件。
12.一种包括有机EL显示器件的电子设备,所述有机EL显示器件包括:
像素阵列部分,其中排列具有有机EL元件的像素;以及
驱动电路部分,在与所述像素阵列部分相同的衬底上、在所述像素阵列部分的周围部分中提供,所述驱动电路部分具有包括电容性元件的电路配置,
其中,所述电容性元件使用通过与所述有机EL元件的有机层的处理相同的处理在所述像素阵列部分的周围部分中形成的有机层作为介电部件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110190408.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的