[发明专利]发光二极管元件及其制造方法无效
| 申请号: | 201110190330.8 | 申请日: | 2011-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN102810614A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
| 发明(设计)人: | 余国辉;朱长信;吴奇隆;邱信嘉;林忠欣;张瑞君 | 申请(专利权)人: | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管元件,包括:
基板,具有相对的第一表面与第二表面;
第一接合层,设于该第一表面上;
第一外延结构,具有相对的第三表面与第四表面,且包括第一凹槽与第二凹槽,其中该第一外延结构包括依序堆叠在该第一接合层上的第二电性半导体层、有源层与第一电性半导体层,且该第一凹槽自该第四表面经由该有源层而延伸至该第一电性半导体层,该第二凹槽自该第四表面延伸至该第三表面,其中该第一电性半导体层与该第二电性半导体层的电性不同;
第一电性导电分支,设于该第一凹槽中的该第一电性半导体层上;
第一电性电极层,设于该第二凹槽中,且与该第三表面共平面,并与该第一电性导电分支连接;
绝缘层,填充于该第一凹槽与该第二凹槽中;以及
第二电性电极层,与该第二电性半导体层电性连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管元件,其中该第二电性电极层设于该基板的该第二表面上,且该基板为导电基板。
3.如权利要求1所述的发光二极管元件,其中:
该第一外延结构还包括第三凹槽,该第三凹槽自该第四表面延伸至该第三表面,且该绝缘层还填充于该第三凹槽中;
该第二电性电极层设于该第三凹槽中,并与该第三表面共平面;以及
该发光二极管元件还包括导电层,该导弹层电性连接该第二电性电极层与该第二电性半导体层。
4.如权利要求3所述的发光二极管元件,还包括:
第一导线,电性连接该第一电性电极层与外部电源的第一电极;以及
第二导线,电性连接该第二电性电极层与该外部电源的第二电极。
5.如权利要求1所述的发光二极管元件,还包括:
第二接合层,设于该基板与该第一接合层之间;
第一导线,电性连接该第一电性电极层与外部电源的第一电极;以及
第二导线,电性连接该第二接合层与该外部电源的第二电极。
6.如权利要求1所述的发光二极管元件,还包括反射层,设于该第一电性电极层与该第一电性导电分支上。
7.如权利要求1所述的发光二极管元件,还包括第二电性接触层,设于该第一接合层与该第二电性半导体层之间。
8.如权利要求1所述的发光二极管元件,还包括未掺杂半导体层,设于该第一电性半导体层上,其中该第一外延结构的该第三表面为该未掺杂半导体层的表面。
9.如权利要求1所述的发光二极管元件,还包括增光层,设于该未掺杂半导体层上,其中该增光层的折射系数大于空气的折射系数,但小于该未掺杂半导体层的折射系数。
10.如权利要求1所述的发光二极管元件,还包括:
第一透明导电层,设于该第三表面上;
第二外延结构,具有相对的第五表面与第六表面,且包括第三凹槽与第四凹槽,其中该第二外延结构包括依序堆叠在该第一透明导电层上的另一第二电性半导体层、另一有源层与另一第一电性半导体层,且该第三凹槽自该第六表面经由该另一有源层而延伸至该另一第一电性半导体层,该第四凹槽自该第六表面延伸至该第五表面;
多个第一接合垫,接合在该第一透明导电层与该第一外延结构之间;
另一第一电性导电分支,设于该第三凹槽中的该另一第一电性半导体层上;
另一第一电性电极层,设于该第四凹槽中,且与该第五表面共平面,并与该另一第一电性导电分支连接;以及
另一绝缘层,填充于该第三凹槽与该第四凹槽中。
11.如权利要求10所述的发光二极管元件,其中该多个第一接合垫之一通过该另一第一电性电极层与该第一电性导电分支的空间上的连线,且该多个第一接合垫的另一个通过该另一第一电性导电分支与该第一电性半导体层的空间上的连线。
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