[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制法

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种薄膜晶体管阵列基板，特别是有关于一种薄膜晶体管阵列基板及其制法。

【背景技术】

现有技术中，TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器，thin film transistor liquid crystal display)的构造主要包含两片玻璃基板以及配置于两者之间的液晶层，其中上层玻璃基板表面设有彩色滤光片(Color Filter)，彩色滤光片包含了彩色光阻及黑色矩阵；而下层玻璃基板则设有薄膜晶体管与像素电极，故一般称为薄膜晶体管阵列基板(TFT LCD Array Substrate)。

在薄膜晶体管阵列基板中，一个子像素的结构包含了像素电极、薄膜晶体管及存储电容，其中所述薄膜晶体管的栅极连接扫描信号线，其源极连接数据信号线，其漏极则连接所述像素电极；所述存储电容则连接所述像素电极。通过扫描信号线对薄膜晶体管的栅极施加电压，即可使薄膜晶体管导通。薄膜晶体管的源极再通过数据信号线接受数据信号并传送到漏极，进而写入像素电极并存储于所述存储电容。

除了前述的存储电容，所述薄膜晶体管的实际结构中还存在许多寄生电容(parasitic capacitance)，这些寄生电容对于所述薄膜晶体管是不必要的，且会造成电荷流失而影响薄膜晶体管的操作特性。

请参考图1，图1为一现有薄膜晶体管阵列基板的局部结构示意图。如图1所示，一薄膜晶体管9位于一扫描信号线8与一资料信号线7的交叉处附近，其中，薄膜晶体管9包含栅极电极90、半导体层91、漏极电极92及源极电极93，其中，所述栅极电极90是所述扫描信号线8的一部分；所述半导体层91是隔着一绝缘层(图中未示)设置于所述栅极电极90上；所述漏极电极92设置于所述半导体层91上；所述源极电极93是自所述数据信号线7的一侧延伸出而沿着所述半导体层91的边缘围绕所述漏极电极92。在漏极电极92与栅极电极90之间会产生寄生电容。

请进一步参考图2所示，为了降低前述漏极电极92与栅极电极90之间所产生的寄生电容，所述栅极电极90进一步设置一个对应漏极电极92位置的开口900，使得所述栅极电极90对漏极电极92的重叠部分减少，进而降低两者之间所形成的寄生电容。

然而，所述栅极电极90的开口900会使扫描信号线8的面积变小，从而提高扫描信号线8的阻值。所述扫描信号线8的传输速度将会因为阻值变大而受到不利影响。

故，有必要提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

有鉴于现有技术的缺点，本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，其可减少漏极电极与栅极电极之间所产生的寄生电容而不提高扫描信号线的阻值。

为达成本发明的前述目的，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，其包含：

基板；

扫描信号线，沿一水平方向设置于所述基板上，并具有一第一侧边与一相对于第一侧边的第二侧边；

数据信号线，沿一垂直方向设置于所述基板上而与所述扫描信号线彼此交错；

一薄膜晶体管，形成于所述扫描信号线与所述数据信号线交叉处附近，并包含一栅极电极、一半导体层、一漏极电极及一源极电极，其中所述栅极电极为所述扫描信号线的一部分并具有一开口，所述开口位于所述栅极电极的中央并延伸至扫描信号线的第一侧边；所述半导体层绝缘地设于所述所述栅极电极上方；所述漏极电极设于所述半导体层上且位置对应所述栅极电极的开口；所述源极电极自所述数据信号线的一侧边延伸出，并沿着所述半导体层的边缘环绕所述漏极电极及所述栅极电极的开口；以及

补偿电极，自所述扫描信号线的第二侧边一体延伸出并对应所述栅极电极。

在本发明的一实施例中，所述栅极电极的开口呈矩形。

在本发明的一实施例中，所述漏极电极呈倒T字形而包含一水平部及一垂直部，所述水平部与所述扫描信号线的第一侧边及第二侧边平行，并对应所述栅极电极的开口；所述垂直部自所述水平部一侧延伸而与所述扫描信号线的第一侧边垂直，并对应所述栅极电极的开口。

在本发明的一实施例中，所述垂直部的宽度小于所述栅极电极的开口的宽度。

在本发明的一实施例中，所述补偿电极的面积与所述开口的面积相等。

在本发明的一实施例中，所述补偿电极呈梯形。

在本发明的一实施例中，所述补偿电极与所述数据信号线之间的距离大于3.5微米。

本发明另提供一种薄膜晶体管阵列基板的制法，所述制法包含下列步骤：