[发明专利]三维NOR型阵列的存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

一集成电路衬底；

多个半导体材料条状物的叠层，从该集成电路衬底伸出，这些叠层为脊形，且这些叠层在多个平面位置中的不同平面位置包含由绝缘材料分隔的至少二个半导体材料条状物；

多条字线，正交地排列在这些叠层上方；

多个存储器元件，位于这些叠层及这些字线的表面之间；

多个位线结构，耦合至沿着这些叠层的每个半导体材料条状物的多重位置；以及

多个源极线结构，耦合至沿着这些叠层的每个半导体材料条状物的多重位置，

其中这些位线结构及这些源极线结构位于这些字线中的相邻的字线之间。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，这些存储器元件分别包括一隧穿层、一电荷捕捉层及一阻挡层。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，这些存储器元件支持易失性存储。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括多个二极管，紧接于这些位线结构。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括多个二极管，其中这些半导体材料条状物包括这些二极管的n型硅，且各该二极管包括各该半导体材料条状物中的一p型区域。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括多个二极管，其中这些半导体材料条状物包括这些二极管的n型硅，且各该二极管包括与各该半导体材料条状物接触的一p型插头。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，其中多条位线中的特定一位线、多条源极线中的特定一源极线及多条字线中的特定一字线的组合的选择，识别这些存储器元件中的一特定存储器元件。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

多个阶梯结构，将这些源极线结构耦合至多条源极线。

9.一种存储器装置，其特征在于，包括：

一集成电路衬底；

一存储器单元的三维阵列，在该集成电路衬底上，该三维阵列包含多个NOR型存储器单元的叠层；

多个字线，排列在这些NOR型存储器单元的叠层上方；

多个字线结构，耦合至沿着这些NOR型存储器单元的叠层的多重位置；

多个源极线结构，耦合至沿着这些叠层的每个半导体材料条状物的多重位置，

其中这些位线结构及这些源极线结构位于这些字线中的相邻的字线之间。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，该三维阵列包括在一接口区域中的多个存储器元件，各该存储器元件包括一隧穿层、一电荷捕捉层及一阻挡层。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，该三维阵列包括在该接口区域中的多个存储器元件，支持易失性存储。

12.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，还包括多个二极管，紧接于这些位线结构。

13.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，还包括多个二极管，其中这些叠层包括这些二极管的n型硅，且各该二极管包括各该叠层中的一p型区域。

14.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，还包括多个二极管，其中这些叠层包括这些二极管的n型硅，且各该二极管包括与各该叠层接触的一p型插头。

15.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，其中多个字线中的特定一位线、多个源极线中的特定一源极线及多个字线中的特定一字线的组合的选择，识别这些存储器单元的该三维阵列中的一特定存储器单元。

16.根据权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

多个阶梯结构，将这些源极线结构耦合至多个源极线。

17.一种运算三维存储器阵列的方法，其特征在于，包括：

在一三维阵列中对多个NOR型存储器单元的相邻的叠层施加偏压，包含：

对多条位线施加偏压，这些位线经由多个二极管耦合至沿着这些NOR型存储器单元的叠层的多重位置。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，这些叠层包括多个存储器元件，各该存储器元件包括一隧穿层、一电荷捕捉层及一阻挡层。