[发明专利]一种多晶硅表面两次酸刻蚀织构的制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅表面两次酸刻蚀织构制备方法，其特征包括以下工艺步骤：

1）配制一定浓度的以HF-HNO₃为基础的酸溶液，使HF浓度为3mol/L-3.3mol/L，HNO₃浓度为9mol/L-9.8mol/L,循环时间为2小时；

2）控制酸刻蚀液温度为3-10℃，损伤层密度不同的硅片于溶液中反应40-60s,然后用去离子水清洗；

3）清洗后的硅片于2%的NaOH溶液中反应10s，去除表面的多孔硅，然后用去离子水清洗；

4）清洗后的硅片于5%的HF和10%的HCl混合溶液中反应30s, 去除表面的金属离子和氧化层，然后用去离子水清洗后吹干；

5）控制酸刻蚀液温度为6-12℃，将之前刻蚀后的硅片，放入酸刻蚀液中进行二次酸刻蚀织构，反应时间控制在40-60s；

6）二次酸刻蚀织构后的硅片于2%的NaOH溶液中反应10s，去除表面的多孔硅，然后用去离子水清洗；

7）清洗后的硅片于HF和HCl混合溶液中反应30s, 去除表面的金属离子和氧化层，然后用去离子水清洗后吹干；

8）依次进行扩散，等离子刻蚀，去磷硅玻璃，PECVD，丝网印刷和烧结工艺，将硅片做成太阳电池片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于采用了二次酸刻蚀织构工艺和所述HF浓度控制为3mol/L-3.3mol/L，HNO₃浓度控制为9mol/L-9.8mol/L；第一次腐蚀温度控制在3℃-10℃，反应时间为40s-60s；第二次腐蚀温度控制在6℃-12℃，第二次腐蚀时间为40s-60s。