[发明专利]测试接口结构、测试电路以及测试方法有效
| 申请号： | 201110187374.5 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102354533A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 钱亮;索鑫;何军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 接口 结构 电路 以及 方法 | ||
1.一种用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构，其特征在于包括三个测试接口/焊盘，该三个测试接口/焊盘为：第一测试端口、第二测试端口以及第三测试端口，其中第一测试端口用于向闪存记忆体模块输入时钟信号；第二测试端口用于与闪存记忆体模块传递数据；第三测试端口用于执行三种功能。
2.根据权利要求1所述的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构，其特征在于，所述三种功能是对闪存记忆体模块输入输出高压信号、对闪存记忆体模块输入输出小电流信号、以及对闪存记忆体模块输入输出数字信号。
3.根据权利要求1或2所述的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构，其特征在于，闪存记忆体模块包括闪存记忆体矩阵、译码电路和电荷泵等模块电路。
4.根据权利要求1或2所述的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构，其特征在于，所述高压信号是至少12V的信号，所述小电流信号精度是纳安。
5.根据权利要求1或2所述的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构，其特征在于，所述测试接口结构通常被用于测试小引脚数的闪存记忆体模块，例如，SIM卡系列产品。
6.一种测试电路，其特征在于包括根据权利要求1至5之一所述的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构。
7.一种利用测试接口结构对闪存记忆体模块进行测试的测试方法，所述测试接口结构包括第一测试端口、第二测试端口以及第三测试端口，其特征在于所述测试方法包括：利用第一测试端口向闪存记忆体模块输入时钟信号；利用第二测试端口与闪存记忆体模块传递数据；利用第三测试端口执行三种功能。
8.根据权利要求7所述的利用测试接口结构对闪存记忆体模块进行测试的测试方法，其特征在于，所述三种功能是对闪存记忆体模块输入输出高压信号、对闪存记忆体模块输入输出小电流信号、以及对闪存记忆体模块输入输出数字信号。
9.根据权利要求7或8所述的利用测试接口结构对闪存记忆体模块进行测试的测试方法，其特征在于，闪存记忆体模块包括闪存记忆体矩阵、译码电路和电荷泵等模块电路。
10.根据权利要求7或8所述的利用测试接口结构对闪存记忆体模块进行测试的测试方法，其特征在于，所述高压信号至少是12V的信号，所述小信号精度是纳安。
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