[发明专利]带电粒子束装置以及试样加工方法有效
| 申请号: | 201110187310.5 | 申请日: | 2011-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN102315066A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | 小川贵志 | 申请(专利权)人: | 精工电子纳米科技有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/21 | 分类号: | H01J37/21;H01J37/04 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带电 粒子束 装置 以及 试样 加工 方法 | ||
1.一种带电粒子束装置,该带电粒子束装置具有:收纳试样的试样室;以及离子束镜筒,其通过加速电压对离子束进行加速,并使离子束聚焦地照射到该试样上,其中,
所述离子束镜筒具有:离子源,其被收纳在所述离子束镜筒的基端侧,产生离子束;以及离子光学系统,其向所述试样照射所述离子束,
所述离子光学系统具有:第1物镜电极,其使所述离子束聚焦至所述试样上;以及第2物镜电极,其使以第2加速电压加速后的离子束聚焦至所述试样上,其中,所述第2加速电压比对所述离子束进行加速的第1加速电压低。
2.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其中,
所述第2物镜电极被配置为比所述第1物镜电极更靠所述离子束镜筒的末端侧。
3.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其中,
所述第1物镜电极由多个电极构成,
所述多个电极至少具有与所述第2物镜电极相邻且接地的电极,
由所述接地的电极、所述第2物镜电极、以及接地的所述离子束镜筒的末端部形成了使以所述第2加速电压加速后的离子束聚焦的透镜电场。
4.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其中,
所述离子光学系统在比所述第1物镜电极更靠所述离子束镜筒的基端侧的位置处,具有使所述离子束偏转的偏转电极,
所述偏转电极将以所述第1加速电压加速后的离子束偏转成使其通过所述第1物镜电极的透镜中心,并且,将以所述第2加速电压加速后的离子束偏转成使其通过所述第2物镜电极的透镜中心。
5.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其中,
所述离子光学系统在比所述第1物镜电极更靠所述离子束镜筒的基端侧的位置处,具有进行所述离子束的扫描的扫描电极,
所述扫描电极使以所述第1加速电压加速后的离子束以通过所述第1物镜电极的透镜中心的方式进行扫描,并且,使以所述第2加速电压加速后的离子束以通过所述第2物镜电极的透镜中心的方式进行扫描。
6.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其中,
所述离子光学系统具有:
聚焦透镜电极,其使由所述离子源产生的所述离子束聚焦;以及
像散校正电极,其对所述离子束的像散进行校正。
7.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其中,
该带电粒子束装置具有:
输入部,其输入所述第1加速电压和所述第2加速电压;
存储部,其存储与所述第1加速电压和所述第2加速电压对应的所述离子光学系统的设定值;以及
控制部,其针对所述离子光学系统设定所述设定值,
所述存储部存储与所述第1加速电压对应的第1设定值和与所述第2加速电压对应的第2设定值,
在通过所述输入部输入了所述第1加速电压时,所述控制部针对所述离子光学系统设定所述第1设定值,在通过所述输入部输入了所述第2加速电压时,所述控制部针对所述离子光学系统设定所述第2设定值。
8.根据权利要求7所述的带电粒子束装置,其中,
关于所述第1设定值,所述第1物镜电极的设定值为固定的电压值,所述第2物镜电极的设定值为0,
关于所述第2设定值,所述第1物镜电极的设定值为0,所述第2物镜电极的设定值为固定的电压值。
9.根据权利要求7所述的带电粒子束装置,其中,
所述第1设定值和第2设定值被设定为,使得以所述第1加速电压加速后的离子束与以所述第2加速电压加速后的离子束照射相同的区域。
10.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其中,
所述第2物镜电极具有能够使所述离子束通过的孔部,且该第2物镜电极由具有与所述离子束大致垂直的平面的平板部、以及能够使所述离子束通过的筒部构成。
11.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其中,
该带电粒子束装置具有电子束镜筒,该电子束镜筒能够向所述试样的所述离子束的照射区域照射电子束,
所述电子束镜筒具有使所述电子束聚焦至所述试样上的电子束用物镜线圈,
所述电子束用物镜线圈的中心与所述试样之间的距离比所述离子束镜筒的所述第2物镜电极的中心与所述试样之间的距离大。
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