[发明专利]动态体偏置型C类反相器及其应用

权利要求书

1.一种动态体偏置型C类反相器，其特征在于，包括开关体偏置型C类反相器、第一增益自举模块、第二增益自举模块、PMOS体电位调制模块和NMOS体电位调制模块；

其中，所述的开关体偏置型C类反相器由第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和四个开关组成；其中，第一PMOS管的栅端与第一NMOS管的栅端相连，第一PMOS管的源端接第一参考电平，第一PMOS管的体端同时接第一开关和第二开关的输入端，第一开关的输出端接第一参考电平，第二开关的输出端接所述PMOS体电位调制模块输出的体偏置电压，第一PMOS管的漏端接第二PMOS管的源端；第二PMOS管的栅端接所述第一增益自举模块，第二PMOS管的体端接所述PMOS体电位调制模块输出的体偏置电压，第二PMOS管的漏端接第二NMOS管的漏端；第二NMOS管的体端接所述NMOS体电位调制模块输出的体偏置电压，第二NMOS管的栅端接所述第二增益自举模块，第二NMOS管的源端接第一NMOS管的漏端；第一NMOS管的源端接第一参考地，第一NMOS管的体端同时接第三开关和第四开关的输入端，第三开关的输出端接第一参考地，第四开关的输出端接所述NMOS体电位调制模块输出的体偏置电压。

2.如权利要求1所述的动态体偏置型C类反相器，其特征在于，所述的第一增益自举模块由第三PMOS管和第三NMOS管组成；其中，

第三PMOS管的栅端与第二PMOS管的源端相连，第三PMOS管的漏端与第二PMOS管的栅端相连，第三PMOS管的源端接第一参考电平，第三PMOS管的体端接所述PMOS体电位调制模块输出的体偏置电压；

第三NMOS管的栅端与自身漏端相连，同时与第三PMOS管的漏端相连，第三NMOS管的源端接第一参考地，第三NMOS管的体端接所述NMOS体电位调制模块输出的体偏置电压。

3.如权利要求1所述的动态体偏置型C类反相器，其特征在于，所述的第二增益自举模块由第四PMOS管和第四NMOS管组成；其中，

第四NMOS管的栅端与第二NMOS管的源端相连，第四NMOS管的漏端与第二NMOS管的栅端相连，第四NMOS管的源端接第一参考地，第四NMOS管的体端接所述NMOS体电位调制模块输出的体偏置电压；

第四PMOS管的栅端与自身漏端相连，同时与第四NMOS管的漏端相连，第四PMOS管的源端接第一参考电平，第四PMOS管的体端接所述的PMOS体电位调制模块输出的体偏置电压。

4.如权利要求1所述的动态体偏置型C类反相器，其特征在于，所述的PMOS体电位调制模块由第五PMOS管和第一电阻组成，第五PMOS管的源端和体端均接第一参考电平，第五PMOS管的栅端接第一共模电压，第五PMOS管的漏端输出体偏置电压，与第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的体端相连，并通过第二开关与第一PMOS管的体端相连，第五PMOS管的漏端同时与第一电阻的一端相连，第一电阻的另一端接第一共模电压。

5.如权利要求1所述的动态体偏置型C类反相器，其特征在于，所述的NMOS体电位调制模块由第五NMOS管和第二电阻组成，第五NMOS管的源端和体端均接第一参考地，第五NMOS管的栅端接第一共模电压，第五NMOS管的漏端输出体偏置电压，与第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的体端相连，并通过第四开关与第一NMOS管的体端相连，第五NMOS管的漏端同时连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端接第一共模电压。

6.采用如权利要求1～5任一所述的动态体偏置型C类反相器的伪差分结构开关电容积分器，其特征在于：包含两个所述的动态体偏置型C类反相器，两个所述的动态体偏置型C类反相器分别位于开关电容积分器正向和负向支路，差分对称形成伪差分结构。

7.采用如权利要求6所述的伪差分结构开关电容积分器的2-1级联Sigma-Delta模数转换器，包括2-1级联模拟调制器和数字抽取滤波器，其特征在于：所述的2-1级联模拟调制器包含第一级调制器和第二级调制器，第二级调制器与第一级调制器级联，用于调制前级产生的量化误差；其中，第一级调制器包含二个所述的伪差分结构开关电容积分器，即第一积分器和第二积分器，所述的第一积分器和第二积分器单环串联构成二阶单环结构；而第二级调制器包含一个所述的伪差分结构开关电容积分器，即第三积分器，构成一阶结构。