[发明专利]一种细晶高纯镍靶材制造方法无效
| 申请号: | 201110186608.4 | 申请日: | 2011-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN102864421A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
| 发明(设计)人: | 范亮;何金江;王欣平 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;有研亿金新材料股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
| 代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘徐红 |
| 地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高纯 镍靶材 制造 方法 | ||
1.一种细晶高纯镍靶材的制备方法,包括以下步骤:
(1)将纯度为99.99%的电解镍板酸洗后进行电子轰击炉熔炼,得到高纯镍铸锭;
(2)将高纯镍铸锭在750℃~850℃进行热机械变形处理,采用的热机械变形方式为热轧或锻造,热轧变形量不低于80%,锻造墩拔次数不低于3次,镦粗拔长率不低于50%,空冷;
(3)将热机械变形处理之后的高纯镍进行退火,退火温度450℃~550℃,退火时间1~3小时,空冷;
(4)将(3)处理后的高纯镍进行冷轧,轧制道次变形率控制在10%~15%之间,总变形率不低于80%;
(5)将冷轧之后的高纯镍在450℃~550℃退火1~3小时,空冷,趁热压平;
(6)将(5)处理后的高纯镍坯料进行各种机械加工,得到细晶高纯镍靶材。
2.根据权利要求1所述的细晶高纯镍靶材的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,熔炼时真空度不低于6×10-2Pa。
3.根据权利要求1所述的细晶高纯镍靶材的制备方法,其特征在于:所得的细晶高纯镍靶材的纯度≥99.995%,平均晶粒度≤30um。
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