[发明专利]一种离子源的绝缘装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种离子源绝缘装置，特别适合于半导体工艺设备中的离子注入机。

背景技术

离子注入机是半导体工艺中离子掺杂的典型设备，离子源产生需要掺杂的离子束，离子束再经过质量分析、校正、加速，传输到处于靶室终端工艺腔体的硅片表面。

随着半导体器件集成度越来越高，半导体工艺设备越来越复杂，对离子源的的束流要求也越来越高。对于注入工艺，低能量大速流的离子注入机是发展的方向。适用于该类离子注入机的离子源需要产生宽带束或扁状带束。本发明正是基于应用该类离子源而设计。

发明内容

针对现有半导体工艺中离子注入机设备发展的要求，本发明设计一种用于离子注入机离子源的绝缘装置。该装置涉及到一种引出绝缘环，用于离子源与地电位的隔离。引出绝缘环从设计角度保护离子源高电位，实现电隔离。

该装置亦涉及到引出绝缘环两端的法兰联接方式，该联接方式是采用一种绝缘材料制造的联接杆，并将联接杆阵列分布在引出绝缘环周围。

该装置亦设计到一种屏蔽筒设计，其可以防止金属颗粒进入并附着在引出绝缘环内表面。

本发明有以下几个显著特点：

1.绝缘效果明显；

2.结构简单，便于加工制造；

附图说明

图1是一种用于离子源绝缘装置组件的正视图和剖视图。

图2是引出绝缘环的正视图和剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步介绍，但不作为对本发明专利的限定。

本发明公开了一种用于离子注入机的离子源绝缘装置，如图1所示，和离子注入机用离子源一起使用。该离子源可以产生宽带束或扁状带束。该装置为使其正常工作隔离高压电位和地电位。该装置主要包括：离子源(1)、法兰联接杆(2)、源安装法兰(3)、引出绝缘环(4)、源法兰(5)、屏蔽筒(6)和真空室(7)等。

如图1所示，引出绝缘环(4)安装于源安装法兰(3)和源法兰(5)之间，可以很好的保护高压电位和地电位。如图2中所示，引出绝缘环(4)采用绝缘材料加工，内表面形成规则起伏的形状，用于增加表面面积，避免积尘，产生爬电。

源安装法兰(3)和源法兰(5)间利用法兰联接杆(2)联接，法兰联接杆(2)采用抗拉强度较强的绝缘材料，并均匀分布在引出绝缘环(4)的周围。

源安装法兰(5)用于安装离子源(1)，其近引出绝缘环端面呈圆弧状，以避免其在绝缘环内产生放电现象。

源法兰(5)用于引出绝缘环(4)联接真空室(7)。

屏蔽筒(6)安装与引出绝缘环(4)的内侧，固定于源法兰之上；其呈椭圆形状，并在非安装端加工成圆弧状，以避免其在绝缘环内产生放电现象。

本发明的特定实施例已对本发明的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。