[发明专利]高压半导体元件有效
| 申请号： | 201110186435.6 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102867856A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 浦士杰;李庆民;徐尉伦;王智充;林克峰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 元件 | ||
1.一种高压半导体元件，包括：
基底；
第一导电型井，设于该基底中；
第一第二导电型掺杂区，设于该第一导电型井中；
第一隔离结构，设于该第一导电型井中并环绕该第一第二导电型掺杂区；以及
第一第二导电型漂移环，设于该第一第二导电型掺杂区及该第一隔离结构之间。
2.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该第一隔离结构包括场氧化层。
3.如权利要求1所述的高压半导体元件，另包括第二第二导电型掺杂区，该第二第二导电型掺杂区设于该第一第二导电型掺杂区正下方。
4.如权利要求1所述的高压半导体元件，另包括第二隔离结构，该第二隔离结构设于该第一隔离结构的外围。
5.如权利要求4所述的高压半导体元件，另包括第一第一导电型掺杂区，该第一第一导电型掺杂区设于该第一隔离结构及该第二隔离结构之间。
6.如权利要求5所述的高压半导体元件，另包括第二第一导电型掺杂区，该第二第一导电型掺杂区设于该第一第一导电型掺杂区正下方。
7.如权利要求5所述的高压半导体元件，另包括第一第一导电型漂移环，该第一第一导电型漂移环设于该第一第一导电型掺杂区及该第一隔离结构之间。
8.如权利要求5所述的高压半导体元件，另包括第二第一导电型漂移环，该第二第一导电型漂移环设于该第一第一导电型掺杂区及该第二隔离结构之间。
9.如权利要求1所述的高压半导体元件，另包括第二第二导电型漂移环，该第二第二导电型漂移环设于该第一隔离结构正下方。
10.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该第一导电型为P型且该第二导电型为N型。
11.一种高压半导体元件，包括：
基底；
第一导电型井，设于该基底中；
第一第二导电型掺杂区，设于该第一导电型井中；
第一隔离结构，设于该第一导电型井中并环绕该第一第二导电型掺杂区；以及
第一第二导电型漂移环，设于该第一隔离结构正下方。
12.如权利要求11所述的高压半导体元件，其中该第一隔离结构包括场氧化层。
13.如权利要求11所述的高压半导体元件，另包括第二第二导电型掺杂区，该第二第二导电型掺杂区设于该第一第二导电型掺杂区正下方。
14.如权利要求11所述的高压半导体元件，另包括第二隔离结构，该第二隔离结构设于该第一隔离结构的外围。
15.如权利要求14所述的高压半导体元件，另包括第一第一导电型掺杂区，该第一第一导电型掺杂区设于该第一隔离结构及该第二隔离结构之间。
16.如权利要求15所述的高压半导体元件，另包括第二第一导电型掺杂区，该第二第一导电型掺杂区设于该第一第一导电型掺杂区正下方。
17.如权利要求15所述的高压半导体元件，另包括第一第一导电型漂移环，该第一第一导电型漂移环设于该第一第一导电型掺杂区及该第一隔离结构之间。
18.如权利要求15所述的高压半导体元件，另包括第二第一导电型漂移环，该第二第一导电型漂移环设于该第一第一导电型掺杂区及该第二隔离结构之间。
19.如权利要求11所述的高压半导体元件，另包括第二第二导电型漂移环，该第二第二导电型漂移环设于该第一第二导电型掺杂区及该第一隔离结构之间。
20.如权利要求11所述的高压半导体元件，其中该第一导电型为P型且该第二导电型为N型。
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