[发明专利]一种抑制多孔低介电常数介质吸入水汽的方法无效
| 申请号： | 201110186150.2 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102237304A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 鲁海生;屈新萍 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C16/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 多孔 介电常数 介质 吸入 水汽 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种抑制多孔低介电常数介质吸入水汽的方法，其特征在于具体步骤如下：
（1）图形化，在反应离子刻蚀腔体中利用碳氟化合物等离子体刻蚀低K介质，在低K介质上刻蚀出沟槽和通孔的互连结构；
（2）在PECVD腔体中，利用CH4/Ar等离子体，在已经图形化的多孔低K介质表面和侧墙上沉积一层碳氢化合物层。
2.根据权利要求1所述的抑制多孔低介电常数介质吸入水汽的方法，其特征在于所述沉积碳氢化合物层的条件为：功率在100w-300w之间，CH4 流量控制在30SCCM左右，处理的时间为10s-60s之间，腔体压强控制在0.1t-0.5t之间。
3.根据权利要求2所述的抑制多孔低介电常数介质吸入水汽的方法，其特征在于沉积的碳氢化合物层厚度为1nm到5nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
