[发明专利]隔离腔体及其制造方法

权利要求书

1.一种隔离腔体的制造方法，包括步骤：

提供第一基底，在所述第一基底上刻蚀形成腔体槽；

提供第二基底，通过离子注入法在所述第二基底中形成掺杂层，所述第二基底被所述掺杂层从中划分出一表层基底；

将所述第一基底和所述第二基底面对面进行键合，在所述第一基底和所述第二基底之间封闭有腔体；以及

以所述掺杂层为界，将所述表层基底与所述第二基底分割开，所述表层基底仍保留于所述第一基底的表面，继续与所述第一基底之间构成所述腔体。

2.根据权利要求1所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述方法通过注入H原子、B原子、O原子、C原子、N原子、Ar原子、P原子、Al原子、Si原子、F原子和As原子中的一种或者多种，在所述第二基底中形成掺杂层。

3.根据权利要求2所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，位于所述第二基底表层的所述表层基底的厚度为0.05-5μm。

4.根据权利要求3所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，通过退火工艺将所述表层基底与所述第二基底分割开。

5.根据权利要求4所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为150℃-1050℃。

6.根据权利要求5所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为200℃-600℃。

7.根据权利要求2所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述第二基底为半导体基底。

8.根据权利要求1或7所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述方法在将所述表层基底与所述第二基底分割开之后，还包括在所述表层基底上方制造其他半导体器件。

9.根据权利要求8所述的隔离腔体的制造方法，所述其他半导体器件包括压阻器件、温阻器件和晶体管。

10.根据权利要求9所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，在所述表层基底上方制造所述压阻器件包括步骤：

通过光刻和离子注入工艺，在所述表层基底中掺杂，形成压阻条或者温阻条；以及

通过金属的淀积和光刻工艺，在所述表层基底上方形成所述压阻器件的引线和电极。

11.根据权利要求10所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述压阻条或者温阻条的形状、大小或者位置，以及所述引线和/或所述电极的形状、大小或者位置根据实际需求均是可调节的。

12.根据权利要求1所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，在所述第一基底上形成的所述腔体槽的形状和/或深度根据实际需求是可调节的。

13.根据权利要求1所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述腔体的真空度由所述键合的工艺决定，包括真空或者常压。

14.根据权利要求1所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述第一基底和所述第二基底为相同或者不同的材料。

15.根据权利要求14所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述第一基底由多层彼此不同的材料组成。

16.根据权利要求7、14或15所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述第二基底为硅材料基底。

17.一种采用上述权利要求1至16中任一项所述的方法制造的隔离腔体。