[发明专利]一种有机光致聚合物全息存储材料的光敏剂浓度序列

说明书

技术领域

本发明涉及的是光学全息存储技术领域，具体地说是一种通过多层膜方式来提高有机光致聚合物全息存储材料有效光学厚度的技术。

背景技术

当前，一些传统的信息存储技术已接近各自的理论极限，光学全息存储以其存储密度高、传输速率快、高冗余度及强抗干扰能力被公认为是下一代的存储技术。全息技术的应用在很大程度上取决于存储介质，光致聚合物材料以其易通过掺杂实现短波长记录，曝光后无需后续处理即可记录永久光栅，价格低廉，能够大规模生产等优点成为人们研究的热点。

如果要实现大容量全息存储，有机聚合物材料的厚度应该高于500μm。但是当材料厚度高于500μm时，由于材料中光敏剂的吸收，入射光沿材料厚度方向逐渐衰减，如Beer定律所述。这样，全息记录过程中形成的折射率光栅沿材料厚度方向逐渐衰减，使得材料的光学厚度大大减小，对全息存储产生不利影响。通过本技术制备的有机聚合物材料，由于在材料厚度方向存在光敏剂浓度值的梯度，所以抑制了光栅衰减的现象，提高了材料的有效光学厚度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种通过多层膜方式来提高有机光致聚合物全息存储材料有效光学厚度、从而优化其存储性能的方法。

为了实现以上目的所采用的技术方案如下：

根据Beer定律，一定光强的入射光通过材料后，第一层材料吸收的光强为：I₁＝I₀(1-exp(-ε[YE]₁d₁))，经过第一层材料后的透射光强为：I′₁＝I₀exp(-ε[YE]₁d₁)，其中I₀为初始入射光强，ε为材料摩尔吸收系数，[YE]₁为该层材料的光敏剂浓度，d₁为该层材料厚度。依此类推，若将材料分成s层，则第s层的吸收光强为：

I_s＝I₀exp(-ε[YE]₁d₁)exp(-ε[YE]₂d₂)……exp(-ε[YE]_s-1d_s-1)(1-exp(-ε[YE]_sd_s))。

为了克服传统材料中沿厚度方向的光栅衰减情况，令每层材料吸收光强相等，可以得到材料中的各个层光敏剂浓度关系式：

[YE]2=-ln(2exp(-ϵ[YE]1d)-1)ϵd-[YE]1]]>