[发明专利]DC/DC转换器及电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及DC/DC转换器及电子装置。

背景技术

用于将预定电压值的DC电压转换为另一电压值的DC电压的DC/DC转换器，为人们所熟知。DC/DC转换器通过例如对开关元件进行开闭控制，来将输出电压控制为恒定。此种DC/DC转换器包括例如过热保护功能，该过热保护功能保护开关元件免于经受异常过热状态。

作为用于保护开关元件免于经受异常过热状态的相关技术，日本专利特开2002-142449号公报论及具有PTC(正温度系数，Positive Temperature Coefficient)热敏电阻的过热保护电路。利用该技术，例如，PTC热敏电阻(过热检测元件)经由例如硅树脂RS，热耦合至开关元件。当PTC热敏电阻超过居里(Curie)温度时，该热敏电阻的电阻值增大，结果开关元件被切断。于是，开关元件被保护免于经受过热状态。

然而，在日本专利特开2002-142449号公报中公开的技术中，当要对开关元件以外的部件进行过热保护时，必须新增加过热检测元件以及用于停止开关元件的开关操作的保护电路。由于这一原因，必须增加许多构成要素，从而导致成本的上升。

发明内容

本发明提供如下的技术，该技术使得能够通过简单的结构来添加另一PTC热敏电阻，并且能够检测部件的过热，从而使得能够在成本受到抑制的状态下，来保护该部件免于过热。

根据本发明的第一方面，提供一种DC/DC转换器，该DC/DC转换器包括：开关元件；驱动单元，其被构造为基于控制信号的脉冲宽度，来接通/切断所述开关元件；控制单元，其被构造为基于电压信号，来生成所述控制信号；以及生成单元，其被构造为通过串联连接具有与温度相对应的电阻器的检测单元和电阻元件，并且用所述检测单元和所述电阻元件对基准电压进行分压，来生成所述电压信号。

根据本发明的第二方面，提供一种包括上述DC/DC转换器的电子装置。

通过以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得明显。

附图说明

被并入说明书并构成说明书的一部分的附图，例示了本发明的实施例，并且与文字描述一起用来说明本发明的原理。

图1是示出根据本发明的实施例的DC/DC转换器40的结构的示例的概略电路图；

图2是示出根据第二实施例的DC/DC转换器40的结构的示例的概略电路图；

图3是示出根据第三实施例的DC/DC转换器40的结构的示例的概略电路图；

图4是示出根据第四实施例的打印装置50的结构的示例的概略框图；

图5是示出常规DC/DC转换器60的结构的示例的概略电路图；

图6是示出MOS驱动电路101b的结构的示例的概略电路图；以及

图7是示出PTC热敏电阻TH的电阻温度特性的示例的图。

具体实施方式

现在，将参照附图来详细描述本发明的示例性实施例。应当指出，除非另外特别说明，否则，在这些实施例中陈述的各构成要素的相对结构、数值表达式以及数值不限定本发明的范围。

下面，在描述根据该实施例的DC/DC转换器之前，先描述除过热检测元件的连接位置之外具有基本相同的结构的DC/DC转换器，作为根据该实施例的DC/DC转换器的比较示例。

下面，将参照图5，来描述包括过热保护功能的DC/DC转换器。图5示出了2输出DC/DC转换器的概略结构。请注意，图5中所示的DC/DC转换器60，是运用PWM控制IC的降压型DC/DC转换器。

MOS驱动电路101a包括过热检测元件(PTC热敏电阻)TH1，该过热检测元件TH1热耦合至作为开关元件的MOS-FET Q1，以便保护MOS-FET Q1免于过热。MOS驱动电路101b包括过热检测元件(PTC热敏电阻)TH2，该过热检测元件TH2热耦合至作为开关元件的MOS-FET Q2，以便保护MOS-FET Q2免于过热。请注意，通过将例如印刷电路板的铜箔图案，布置在要被隔开给定绝缘距离的相邻位置，来对MOS-FETQ1及Q2和PTC热敏电阻TH1及TH2进行热耦合。作为另一选择，可以利用具有耐热性及电绝缘性优良的导热能力的硅树脂或硅胶板，来对这些部件进行热耦合。也就是说，将各过热检测元件，布置在要进行过热保护的部件附近。