[发明专利]电介质陶瓷、电介质陶瓷的生产方法和电子部件

权利要求书

1.一种电介质陶瓷，其包括：

含有Mg₂SiO₄的主组分；和

含有氧化锌和玻璃组分的添加剂，

其中在X射线衍射中，峰强度比I_B/I_A为10％以下，其中I_A为对于作为主相的Mg₂SiO₄的2θ在36.0°至37.0°之间的X射线衍射峰强度，和I_B为对于保持未反应的氧化锌的2θ在31.0°至32.0°之间和在33.0°至34.0°之间的X射线衍射峰强度，和

所述电介质陶瓷具有96％以上的相对密度。

2.根据权利要求1所述的电介质陶瓷，其中所述玻璃组分包括至少一种含Li₂O玻璃。

3.根据权利要求1所述的电介质陶瓷，其中所述氧化锌的含量为10质量份至16质量份。

4.一种电子部件，其包括由根据权利要求1所述的电介质陶瓷形成的电介质层。

5.一种电介质陶瓷，其包括：

含有Mg₂SiO₄的主组分；和

含有氧化锌、玻璃组分，以及氧化铝和氧化钛中至少之一的添加剂。

6.根据权利要求5所述的电介质陶瓷，其中所述玻璃组分包括至少一种含Li₂O玻璃。

7.根据权利要求5所述的电介质陶瓷，其中所述氧化锌的含量为10质量份至16质量份。

8.一种电子部件，其包括由根据权利要求5所述的电介质陶瓷形成的电介质层。

9.一种电介质陶瓷的生产方法，所述电介质陶瓷包括含有Mg₂SiO₄的主组分以及含有氧化锌和玻璃组分的添加剂，所述方法包括以下步骤：

电介质陶瓷组合物生产工艺，其包括将氧化镁的原料粉末和二氧化硅的原料粉末混合，热处理所述混合物以生产Mg₂SiO₄晶体粉末，将所述氧化锌和所述玻璃组分作为添加剂原料粉末添加至Mg₂SiO₄晶体粉末，由此获得电介质陶瓷组合物；和

烧制工艺，其包括在800℃至1000℃的温度下在氧气气氛中烧制所述电介质陶瓷组合物，由此获得烧结体，

其中在X射线衍射中，峰强度比I_B/I_A为10％以下，其中I_A为对于作为所述烧结体主相的Mg₂SiO₄的2θ在36.0°至37.0°之间的X射线衍射峰强度，和I_B为对于保持未反应的氧化锌的2θ在31.0°至32.0°之间和在33.0°至34.0°之间的X射线衍射峰强度，和

所述电介质陶瓷具有96％以上的相对密度。

10.根据权利要求9所述的电介质陶瓷的生产方法，其中所述玻璃组分包含至少一种含Li₂O玻璃。

11.根据权利要求9所述的电介质陶瓷的生产方法，其中所述氧化锌的含量为10质量份至16质量份。

12.一种电介质陶瓷的生产方法，所述电介质陶瓷包括含有Mg₂SiO₄的主组分和含有氧化锌、玻璃组分、以及氧化铝和氧化钛中至少之一的添加剂，所述方法包括以下步骤：

电介质陶瓷组合物生产工艺，其包括将氧化镁的原料粉末和二氧化硅的原料粉末混合，热处理所述混合物以生产Mg₂SiO₄晶体粉末，将所述氧化铝和所述氧化钛的至少之一、所述氧化锌和所述玻璃组分作为添加剂原料粉末添加至所述Mg₂SiO₄晶体粉末，由此获得电介质陶瓷组合物；和

烧制工艺，其包括在800℃至1000℃的温度下在氧气气氛中烧制所述电介质陶瓷组合物，从而获得烧结体。

13.根据权利要求12所述的电介质陶瓷的生产方法，其中所述玻璃组分包括至少一种含Li₂O玻璃。

14.根据权利要求12所述的电介质陶瓷的生产方法，其中所述氧化锌的含量为10质量份至16质量份。