[发明专利]薄膜晶体管元件及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管元件，设置于一基板上，该薄膜晶体管元件包括：

一第一导电类型晶体管，包括一第一图案化掺杂层、一第一栅极、一第一源极、一第一漏极以及一第一半导体图案，其中该第一源极以及该第一漏极是与该第一图案化掺杂层电性连结；以及

一第二导电类型晶体管，包括一第二图案化掺杂层、一第二栅极、一第二源极、一第二漏极以及一第二半导体图案，其中该第二源极以及该第二漏极是与该第二图案化掺杂层电性连结；

其中该第一半导体图案以及该第二半导体图案构成一图案化半导体层，该第一图案化掺杂层是设置于该第一半导体图案之下，且该第二图案化掺杂层是设置于该第二半导体图案之上。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，该第一图案化掺杂层包括至少一N型掺杂物，且该第二图案化掺杂层包括至少一P型掺杂物。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，该图案化半导体层包括一多晶硅层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，进一步包括一栅极介电层，设置于该图案化半导体层、该第一图案化掺杂层以及该第二图案化掺杂层之上，其中该第一栅极以及该第二栅极是设置于该栅极介电层之上。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，进一步包括一层间介电层设置于该栅极介电层、该第一栅极以及该第二栅极之上，其中该第二源极以及该第二漏极是穿过该层间介电层以及该栅极介电层而与该第二图案化掺杂层电性连结，且该第一源极以及该第一漏极是穿过该层间介电层、该栅极介电层以及该第一半导体图案而与该第一图案化掺杂层电性连结。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，进一步包括一层间介电层设置于该栅极介电层、该第一栅极以及该第二栅极之上，其中该第二源极以及该第二漏极是穿过该层间介电层以及该栅极介电层而与该第二图案化掺杂层电性连结，且该第一源极及该第一漏极是至少部分设置于该基板与该第一图案化掺杂层之间。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，该第一导电类型晶体管进一步包括一第一栅极介电层，设置于该基板与该第一图案化掺杂层之间，且该第一栅极是设置于该第一栅极介电层与该基板之间；以及该第二导电类型晶体管更包括一第二栅极介电层，设置于该图案化半导体层、该第一图案化掺杂层以及该第二图案化掺杂层之上，且该第二栅极是设置于该第二栅极介电层之上。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，该第一漏极与该第二栅极电性连结。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于该第一漏极是与该第二源极电性连接，该第一栅极是与该第二栅极电性连结。

10.一种薄膜晶体管元件的制作方法，包括：

提供一基板，该基板具有一第一导电类型区以及一第二导电类型区；

于该基板的该第一导电类型区形成一第一图案化掺杂层；

于该基板的该第一导电类型区与该第二导电类型区形成一半导体层，其中该第一导电类型区的该半导体层是覆盖该第一图案化掺杂层；

于该第二导电类型区的该半导体层上形成一第二图案化掺杂层；

图案化该半导体层，使该第一导电类型区的该半导体层与该第二导电类型区的该半导体层互相分离；以及

对该半导体层、该第一图案化掺杂层与该第二图案化掺杂层进行至少一次激光处理工艺。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管元件的制作方法，其特征在于，该激光处理工艺包括两次激光处理工艺，分别于形成该第二图案化掺杂层之前及之后进行。

12.如权利要求10所述的薄膜晶体管元件的制作方法，其特征在于，该激光处理工艺是于形成该第二图案化掺杂层之后进行。

13.如权利要求10所述的薄膜晶体管元件的制作方法，其特征在于，该第一图案化掺杂层与该第二图案化掺杂层是分别利用一化学气相沉积工艺所形成。

14.如权利要求10所述的薄膜晶体管元件的制作方法，其特征在于，该第一图案化掺杂层包括至少一N型掺杂物，且该第二图案化掺杂层包括至少一P型掺杂物。

15.如权利要求10所述的薄膜晶体管元件的制作方法，其特征在于，该激光处理工艺将该半导体层由一非晶硅层改质为一多晶硅层。