[发明专利]电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备有效

专利信息
申请号: 201110184493.5 申请日: 2011-06-29
公开(公告)号: CN102314103A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 田中正人;野中正树 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G5/06 分类号: G03G5/06;G03G21/18;G03G15/00
代理公司: 北京魏启学律师事务所 11398 代理人: 魏启学
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 照相 感光 构件 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种电子照相感光构件,其包括支承体、和形成在所述支承体上的电荷产生层和电荷输送层,

其中,所述电荷产生层包括电荷产生物质和由下式(1)表示的胺化合物:

其中,在式(1)中,各R1-R10独立地表示氢原子、卤素原子、羟基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的氨基或者取代或未取代的环氨基,R1-R10中的至少之一表示由取代或未取代的芳基取代的氨基、由取代或未取代的烷基取代的氨基或者取代或未取代的环氨基,X1表示羰基或二羰基。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述R1-R10中的至少之一表示所述由取代或未取代的烷基取代的氨基。

3.根据权利要求2所述的电子照相感光构件,其中所述由取代或未取代的烷基取代的氨基中的取代或未取代的烷基为由烷氧基取代的烷基、由芳基取代的烷基或者未取代的烷基。

4.根据权利要求2所述的电子照相感光构件,其中所述由取代或未取代的烷基取代的氨基为二烷氨基。

5.根据权利要求4所述的电子照相感光构件,其中所述二烷氨基为二甲氨基或二乙氨基。

6.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述R1-R10中的至少之一表示所述取代或未取代的环氨基。

7.根据权利要求6所述的电子照相感光构件,其中所述取代或未取代的环氨基为吗啉基或哌啶基。

8.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述胺化合物为由下式(2)或(3)表示的胺化合物:

其中,在式(2)和(3)中,各R11、R13和R15独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基,和各R12、R14和R16独立地表示取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基,可选择地,R11和R12、R13和R14、以及R15和R16可以彼此键合以形成取代或未取代的环氨基。

9.根据权利要求8所述的电子照相感光构件,其中各所述R11-R16表示由烷氧基取代的烷基、由芳基取代的烷基或者未取代的烷基。

10.根据权利要求8所述的电子照相感光构件,其中各所述R11-R16表示甲基或乙基。

11.根据权利要求8所述的电子照相感光构件,其中所述由R11和R12、R13和R14、以及R15和R16彼此键合而形成的取代或未取代的环氨基为吗啉基或哌啶基。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的电子照相感光构件,其中所述电荷产生物质为酞菁颜料。

13.根据权利要求12所述的电子照相感光构件,其中所述酞菁颜料为镓酞菁。

14.根据权利要求13所述的电子照相感光构件,其中所述镓酞菁为在CuKαX-射线衍射的布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.2°±0.3°处具有强峰的晶体形式的羟基镓酞菁晶体。

15.根据权利要求1-11中任一项所述的电子照相感光构件,其中在所述电荷产生层中所述胺化合物的含量比为不小于0.1质量%且不大于20质量%,相对于所述电荷产生物质。

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