[发明专利]具有新型喷嘴的多晶硅还原炉

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：

底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；

三十六对电极，所述三十六对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周；

进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和

排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间；

其中，所述每个喷嘴包括：

基座，所述基座内形成有第一进气腔；

引流部，所述引流部与所述基座的上端相连且所述引流部内形成有第二进气腔，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和

导流部，所述导流部与所述引流部的上端相连且所述引流部内形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在所述第一、第二、第三和第四圆周上沿圆周方向依次均匀分布有三对、七对、十一对和十五对电极。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个喷嘴分别分布于所述底盘中心处和第五、第六和第七圆周上，所述第五、第六和第七圆周均以所述底盘中心为圆心且分别位于所述第一与第二圆周、第二与第三圆周以及第三与第四圆周之间。

4.根据权利要求1或3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个喷嘴的数量为十九个，其中在所述第五、第六和第七圆周上分别均匀分布有四个、六个和八个喷嘴。

5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述进气系统还包括：

进气环管，所述进气环管位于所述底盘下方且与外部气源相连通；

十九个进气管，所述十九个进气管分别与所述十九个喷嘴一一对应且所述十九个喷嘴的基座通过所述十九个进气管与所述进气环管相连接。

6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述喷嘴的导流部的中央喷孔的横截面积大于所述多个侧喷孔的每个的横截面积。

7.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个侧喷孔的每个均为从底部以预定仰角旋转至顶部的侧旋喷孔。

8.根据权利要求7所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个侧旋喷孔的内表面的母线为双曲线、抛物线、椭圆弧线或渐开线。

9.根据权利要求1或3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述喷嘴的引流部的上部形成有外喇叭口型的连接锥段，所述导流部配合在所述连接锥段内。

10.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个排气口的数量为六个。

11.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘内形成有第一冷却腔，且所述第一冷却腔具有第一冷却介质进口和多个第一冷却介质出口，所述第一冷却介质进口位于所述底盘的中央，而所述多个第一冷却介质出口与所述多个排气口一一对应设置，每个所述第一冷却介质出口连接有第一冷却管且每个所述排气口连接有尾气管，所述第一冷却管套设在所述尾气管上。

12.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体内设有第二冷却腔且所述第二冷却腔连接有第二冷却介质进口和第二冷却介质出口，所述第二冷却介质进口位于所述炉体的底部且所述第二冷却介质出口位于所述炉体的顶部，所述第二冷却腔内设有多个隔流挡板，所述多个隔流挡板在所述第二冷却腔内由下至上绕所述反应腔室呈螺旋状分布。

13.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体包括位于下部的筒体和设在所述筒体顶端的封头，所述封头为中空半球体。

14.根据权利要求13所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体上还设有多个观察镜，所述多个观察镜在所述筒体的高度方向上均匀分布成多排且所述多个观察镜沿所述筒体的周向均匀分布。