[发明专利]采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法无效
| 申请号： | 201110183217.7 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102903607A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 魏星;曹共柏;张苗;张峰;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 选择性 腐蚀 制备 带有 绝缘 衬底 方法 | ||
1.一种采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供器件衬底和支撑衬底；
采用离子注入在器件衬底中形成腐蚀自停止层，并将器件衬底分离成牺牲层和器件层；
在支撑衬底的正面和背面均形成绝缘层；
以支撑衬底正面的绝缘层的暴露表面以及器件衬底的器件层的暴露表面为键合面，将器件衬底和支撑衬底键合在一起；
采用旋转腐蚀工艺除去牺牲层和腐蚀自停止层，形成由器件层、绝缘层和支撑衬底构成的带有绝缘埋层的衬底。
2.根据权利要求1所述的采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，在支撑衬底的正面和背面均形成绝缘层之前，进一步包括如下步骤：
在支撑衬底背面形成保护层；
对支撑衬底正面实施减薄，以对支撑衬底的厚度进行修正。
3.根据权利要求1所述的采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，在采用旋转腐蚀工艺除去牺牲层和腐蚀自停止层之前，进一步采用研磨工艺减薄牺牲层。
4.根据权利要求1所述的采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，支撑衬底的正面和背面形成绝缘层具有相同的厚度，且由相同的材料构成。
5.根据权利要求1所述的采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，所述键合的步骤实施完毕后，进一步对键合界面实施退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
