[发明专利]一种模拟加法器及电流型升压变压器

权利要求书

1.一种模拟加法器，其特征在于，包括：跨导运算放大器、失调电流源、补偿斜波电流源、第一输出电阻和第二输出电阻，其中：

跨导运算放大器的反相输入端接地，同相输入端为该模拟加法器的输入端，输出端经过第一MOS管连接至所述第二输出电阻的高电位端，所述第二输出电阻的另一端接地；

失调电流源与所述跨导运算放大器的输出级中的第五MOS管的栅极相连；

补偿斜波电流源通过第一输出电阻与所述第二输出电阻高电位端相连，且所述第一输出电阻的高电位端为该模拟加法器的输出端。

2.根据权利要求1所述的模拟加法器，其特征在于，所述跨导运算放大器包括：第一共源共栅偏置单元、与所述输出级连接的输入级，以及反馈回路，其中：

所述第一共源共栅偏置单元与所述输入级的MOS管相连，用于为所述输入级的MOS管提供偏置电流；

所述输入级包括：第二MOS管、第三MOS管、连接在所述第二MOS管源极的反馈电阻，以及连接在所述第三MOS管源极的第二输入电阻，构成的镜像电流源；

所述输出级还包括：与所述第五MOS管串联连接的第四MOS管，其中，所述第五MOS管的漏极连接第四MOS管，所述第五MOS管的栅极与所述第三MOS管的漏极相连，且该第五MOS管的栅极连接所述失调电流源；

所述反馈回路包括：所述第一MOS管和第五MOS管，所述第一MOS管的栅极连接所述第五MOS管的漏极，所述第五MOS管的源极连接至所述反馈电阻的高电位端。

3.根据权利要求2所述的模拟加法器，其特征在于，所述第一共源共栅偏置单元包括：偏置电流源、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管，其中：

所述第六MOS管的源极连接直流正电源，漏极连接所述偏置电流源的负输出端，所述偏置电流源的正输出端接地；

所述第七MOS管的栅极连接所述第六MOS管的栅极，所述第七MOS管的源极连接所述直流正电源，所述第七MOS管的漏极连接所述第二MOS管的漏极；

所述第八MOS管的栅极连接所述第六MOS管的栅极，所述第八MOS管的源极连接所述直流正电源，所述第八MOS管的漏极连接所述第三MOS管的漏极。

4.根据权利要求3所述的模拟加法器，其特征在于：

所述输出级中的第四MOS管的源极连接直流正电源，所述第四MOS管的栅极连接该第四MOS管的漏极，该第四MOS管的漏极连接所述第五MOS管的漏极，所述第五MOS管的源极连接所述反馈电阻的高电位端，所述第五MOS管的栅极连接所述第三MOS管的漏极，且该第五MOS管的栅极与所述失调电流源相连。

5.根据权利要求4所述的模拟加法器，其特征在于，所述第一MOS管的栅极连接所述第四MOS管的栅极，所述第一MOS管的源极连接直流正电源，所述第一MOS管的漏极连接所述第二输出电阻的高电位端。

6.根据权利要求5所述的模拟加法器，其特征在于，还包括：

连接在所述第一共源共栅偏置单元和所述输入级之间的第二共源共栅偏置单元，其中：

所述第二共源共栅偏置单元包括：第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管，以及第二偏置电流源，其中：

所述第九MOS管的栅极和漏极连接，且该漏极连接所述第二偏置电源；

所述第十MOS管串接在所述第七MOS管和第二MOS管之间，且所述第十MOS管的栅极与所述第九MOS管的栅极连接；

所述第十一MOS管串接所述第八MOS管和第三MOS管之间，且所述第十一MOS管的栅极与所述第九MOS管的栅连接。

7.根据权利要求6所述的模拟加法器，其特征在于，所述第二MOS管、所述第三MOS管及所述第五MOS管为NMOS管。

8.根据权利要求6所述的模拟加法器，其特征在于，所述第一MOS管、所述第四MOS管、所述第六MOS管、所述第七MOS管、所述第八MOS管、所述第九MOS管、所述第十MOS管和所述第十一MOS管为PMOS管。

9.一种电流型升压变压器，包括：误差放大器、脉冲宽度调制PWM比较器、PWM控制电路和开关管，其特征在于，还包括：权利要求1-8任一项所述的模拟加法器，该模拟加法器的传感电压输入端连接至所述开关管的源极，该模拟加法器的输出端连接至所述PWM比较器的同相输入端。