[发明专利]薄膜太阳电池、组件及制造方法有效
| 申请号: | 201110183088.1 | 申请日: | 2011-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN102254967A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
| 发明(设计)人: | 朱鑫;牛新伟;李贵君;王明华;郁操;方晓玲;程冰;周曦;丁建;杨立友 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
| 地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳电池 组件 制造 方法 | ||
1.一种薄膜太阳电池,包括:
衬底(100);
第一透明导电氧化物层(410),形成于所述衬底(100)之上;
至少一个NIP结(510),形成于所述第一透明导电氧化物层(410)之上;
第二透明导电氧化物层(610),形成于所述NIP结(510)之上;
其特征在于,
在所述衬底(100)和第一透明导电氧化物层(410)之间形成本征半导体黏附层(210)和金属薄膜层(310),所述本征半导体黏附层(210)与所述衬底(100)相接触,所述金属薄膜层(310)与所述第一透明导电氧化物层(410)相接触。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,衬底(100)材料包括缺陷玻璃、不锈钢、塑料。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,所述本征半导体黏附层(210)材料包括非晶硅、非晶锗、非晶氧化硅、非晶硅锗。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,所述本征半导体黏附层(210)的厚度范围为20~2000nm。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,所述金属薄膜层(310)为银、铝、金中的一层或者多层。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,所述金属薄膜层(310)的厚度范围为20~800nm。
7.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,还包括封装层(710),所述封装层(710)形成于所述第二透明导电氧化物层(610)之上。
8.根据权利要求7所述的薄膜太阳电池,其中,采用EVA或PVB膜将所述封装层(710)粘合于所述第二透明导电氧化物层(610)之上,或采用镀膜方式将所述封装层(710)直接镀于所述第二透明导电氧化物层(610)之上。
9.根据权利要求7所述的薄膜太阳电池,其中,所述封装层(710)包括平板玻璃、减反射膜玻璃、绒面玻璃等玻璃或硅胶、树脂、聚乙烯类、含氟薄膜等平整或具有绒面结构的透光塑料膜或三氧化二铝、二氧化硅等镀膜。
10.一种制造薄膜太阳电池的方法,其中,包括以下步骤:
提供一衬底(100),在所述衬底(100)上形成第一透明导电氧化物层(410);
在所述第一透明导电氧化物层(410)上形成至少一个NIP结(510);
在所述NIP结(510)上所述第二透明导电氧化物层(610);
其特征在于,
在所述衬底(100)和第一透明导电氧化物层(410)之间形成本征半导体黏附层(210)和金属薄膜层(310),所述本征半导体黏附层(210)与所述衬底(100)相接触,所述金属薄膜层(310)与所述第一透明导电氧化物层(410)相接触。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,衬底(100)材料包括缺陷玻璃、不锈钢、塑料。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述本征半导体黏附层(210)材料包括非晶硅、非晶锗、非晶氧化硅、非晶硅锗。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述本征半导体黏附层(210)的厚度范围为20~2000nm。
14.根据权利要求10所述的方法,其中,所述金属薄膜层(310)为银、铝、金中的一层或者多层。
15.根据权利要求10所述的方法,其中,所述金属薄膜层(310)的厚度范围为20~800nm。
16.根据权利要求10所述的方法,其中,还包括封装层(710),所述封装层(710)形成于所述第二透明导电氧化物层(610)之上。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,采用EVA或PVB膜将所述封装层(710)粘合于所述第二透明导电氧化物层(610)之上,或采用镀膜方式将所述封装层(710)直接镀于所述第二透明导电氧化物层(610)之上。
18.根据权利要求16所述的方法,其中,所述封装层(710)包括平板玻璃、减反射膜玻璃、绒面玻璃等玻璃或硅胶、树脂、聚乙烯类、含氟薄膜等平整或具有绒面结构的透光塑料膜或三氧化二铝、二氧化硅等镀膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





