[发明专利]薄膜太阳电池、组件及制造方法有效

专利信息
申请号: 201110183088.1 申请日: 2011-06-30
公开(公告)号: CN102254967A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 朱鑫;牛新伟;李贵君;王明华;郁操;方晓玲;程冰;周曦;丁建;杨立友 申请(专利权)人: 浙江正泰太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/20
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 冯谱
地址: 310053 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 太阳电池 组件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜太阳电池,包括:

衬底(100);

第一透明导电氧化物层(410),形成于所述衬底(100)之上;

至少一个NIP结(510),形成于所述第一透明导电氧化物层(410)之上;

第二透明导电氧化物层(610),形成于所述NIP结(510)之上;

其特征在于,

在所述衬底(100)和第一透明导电氧化物层(410)之间形成本征半导体黏附层(210)和金属薄膜层(310),所述本征半导体黏附层(210)与所述衬底(100)相接触,所述金属薄膜层(310)与所述第一透明导电氧化物层(410)相接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,衬底(100)材料包括缺陷玻璃、不锈钢、塑料。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,所述本征半导体黏附层(210)材料包括非晶硅、非晶锗、非晶氧化硅、非晶硅锗。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,所述本征半导体黏附层(210)的厚度范围为20~2000nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,所述金属薄膜层(310)为银、铝、金中的一层或者多层。

6.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,所述金属薄膜层(310)的厚度范围为20~800nm。

7.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池,其中,还包括封装层(710),所述封装层(710)形成于所述第二透明导电氧化物层(610)之上。

8.根据权利要求7所述的薄膜太阳电池,其中,采用EVA或PVB膜将所述封装层(710)粘合于所述第二透明导电氧化物层(610)之上,或采用镀膜方式将所述封装层(710)直接镀于所述第二透明导电氧化物层(610)之上。

9.根据权利要求7所述的薄膜太阳电池,其中,所述封装层(710)包括平板玻璃、减反射膜玻璃、绒面玻璃等玻璃或硅胶、树脂、聚乙烯类、含氟薄膜等平整或具有绒面结构的透光塑料膜或三氧化二铝、二氧化硅等镀膜。

10.一种制造薄膜太阳电池的方法,其中,包括以下步骤:

提供一衬底(100),在所述衬底(100)上形成第一透明导电氧化物层(410);

在所述第一透明导电氧化物层(410)上形成至少一个NIP结(510);

在所述NIP结(510)上所述第二透明导电氧化物层(610);

其特征在于,

在所述衬底(100)和第一透明导电氧化物层(410)之间形成本征半导体黏附层(210)和金属薄膜层(310),所述本征半导体黏附层(210)与所述衬底(100)相接触,所述金属薄膜层(310)与所述第一透明导电氧化物层(410)相接触。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,衬底(100)材料包括缺陷玻璃、不锈钢、塑料。

12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述本征半导体黏附层(210)材料包括非晶硅、非晶锗、非晶氧化硅、非晶硅锗。

13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述本征半导体黏附层(210)的厚度范围为20~2000nm。

14.根据权利要求10所述的方法,其中,所述金属薄膜层(310)为银、铝、金中的一层或者多层。

15.根据权利要求10所述的方法,其中,所述金属薄膜层(310)的厚度范围为20~800nm。

16.根据权利要求10所述的方法,其中,还包括封装层(710),所述封装层(710)形成于所述第二透明导电氧化物层(610)之上。

17.根据权利要求16所述的方法,其中,采用EVA或PVB膜将所述封装层(710)粘合于所述第二透明导电氧化物层(610)之上,或采用镀膜方式将所述封装层(710)直接镀于所述第二透明导电氧化物层(610)之上。

18.根据权利要求16所述的方法,其中,所述封装层(710)包括平板玻璃、减反射膜玻璃、绒面玻璃等玻璃或硅胶、树脂、聚乙烯类、含氟薄膜等平整或具有绒面结构的透光塑料膜或三氧化二铝、二氧化硅等镀膜。

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