[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，包括：

第一的第一导电型金属绝缘半导体(Metal Insulated Semiconductor，MIS)晶体管，其源极被连接到第一电源；

第二的第一导电型金属绝缘半导体晶体管，其源极被连接到所述第一的第一导电型金属绝缘半导体晶体管的漏极，且其漏极被连接到第一电流源；

第四的第一导电型金属绝缘半导体晶体管，其源极被连接到所述第一电源，使其栅极与其漏极共用，并连接到所述第一的第一导电型金属绝缘半导体晶体管和所述第二的第一导电型金属绝缘半导体晶体管各自的栅极及第二电流源；以及

电流镜电路，其源极被连接到所述第一电源，且将所述第一的第一导电型金属绝缘半导体晶体管的漏极电位作为栅极电位的第三的第一导电型金属绝缘半导体晶体管的漏极电流放大或削弱至任意倍率的电流值，

其中，使所述第一的第一导电型金属绝缘半导体晶体管、所述第二的第一导电型金属绝缘半导体晶体管、及所述第四的第一导电型金属绝缘半导体晶体管的栅极电位，与所述第一电源的电位的差的绝对值等于或小于所述第一、第二及第四的第一导电型金属绝缘半导体晶体管的阈值电压，以使所述第一、第二及第四的第一导电型金属绝缘半导体晶体管在亚阈值区动作。

2.一种半导体集成电路装置，包括：

内部电路，在半导体衬底上具有多个金属绝缘半导体(Metal InsulatedSemiconductor，MIS)晶体管；

衬底电压控制块，对所述内部电路供给衬底电压，从而控制该内部电路的金属绝缘半导体晶体管的阈值电压；

参考电位生成电路；

电流镜电路，将以所述参考电位生成电路的输出电位作为栅极电位的金属绝缘半导体晶体管的漏极电流放大或削弱至任意倍率的电流值；以及

漏电流检测电路，由所述衬底电压控制块提供所述衬底电压，且以所述电流镜电路的输出电位作为栅极电位的金属绝缘半导体晶体管构成，

其中，通过将所述漏电流检测电路的输出信号输入所述衬底电压控制块来控制阈值电压，

并且，所述内部电路包括互补金属绝缘半导体(Complementary MetalInsulated Semiconductor，CMIS)电路，

所述内部电路还设有对其Nch金属绝缘半导体晶体管的阈值电压进行控制的衬底电压控制块、参考电位生成电路、电流镜电路、以及漏电流检测用Nch金属绝缘半导体晶体管，

所述内部电路还设有对其Pch金属绝缘半导体晶体管的阈值电压进行控制的衬底电压控制块、参考电位生成电路、电流镜电路、以及漏电流检测用Pch金属绝缘半导体晶体管。