[发明专利]非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器晶体管，其特征在于，具备：

岛状半导体，从衬底侧依序形成有源极区域、沟道区域及漏极区域；

浮置栅极，以包围所述沟道区域的外周的方式使隧穿绝缘膜介设配置于其间；

控制栅极，以包围所述浮置栅极的外周的方式使多晶硅层间绝缘膜介设配置于其间；及

控制栅极线，电性连接于所述控制栅极，且朝既定方向延伸；

所述浮置栅极分别延伸至所述控制栅极的下方区域与上方区域、以及所述控制栅极线的下方区域；

在所述浮置栅极与所述控制栅极的上表面、下表面及内侧面之间介设配置有多晶硅层间绝缘膜；

所述浮置栅极于延伸至所述控制栅极线的下方区域的部分与所述控制栅极线之间介设配置有多晶硅层间绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器晶体管，其特征在于，还具备以位于所述浮置栅极的下方的方式配置于所述衬底上，而且厚度比所述隧穿绝缘膜及多晶硅层间绝缘膜的至少一方还厚的第1绝缘膜。

3.一种非易失性半导体存储器的制造方法，该非易失性半导体存储器具备：浮置栅极，以包围岛状半导体的外周的方式使隧穿绝缘膜介设配置于其间；控制栅极，以包围所述浮置栅极的外周的方式使第2绝缘膜介设配置于其间；及控制栅极线，电性连接于所述控制栅极，且朝既定方向延伸；其特征在于，该制造方法包括以下步骤：

在形成于衬底的既定位置的源极线上形成多个所述岛状半导体的步骤；

在相邻接的所述岛状半导体之间与所述源极线上形成第1绝缘膜的步骤；

通过于所述第1绝缘膜上沉积导电性材料而形成浮置栅极膜的步骤；

在所述浮置栅极膜上形成具有在相对于所述控制栅极线所延伸的既定方向正交的方向延伸的沟的阻剂的步骤；

使用所述阻剂，将所述浮置栅极膜在所述沟的下方区域且为所述第1绝缘膜的上方通过蚀刻予以分离，且对所述各岛状半导体形成浮置栅极的步骤；

在所述浮置栅极上形成所述第2绝缘膜的步骤；

在所述第2绝缘膜上形成包围所述岛状半导体的外周的控制栅极的步骤；

形成所述控制栅极线的步骤，该控制栅极线用以连接相邻接的所述岛状半导体的所述控制栅极彼此；以及

以所述控制栅极与所述浮置栅极将所述第2绝缘膜夹在其间且于上下方向重叠的方式将所述浮置栅极予以蚀刻的步骤。