[发明专利]基于压电阻抗法的热障涂层热生长氧化层无损检测方法

权利要求书

1.一种基于压电阻抗法的热障涂层热生长氧化层无损检测方法，使用强力胶将压电晶片(3)粘贴于涂层试样(4)上表面待检测部位，其特征是：在所述压电晶片(3)上表面焊接上、下电极的连接导线(2)，连接导线(2)与阻抗分析仪(1)之间采用电气连接；将粘贴有压电晶片(3)的涂层试样(4)放置于泡沫板(5)上；借助计算机(6)对阻抗分析仪(1)测得的压电晶片(3)的电阻抗信号进行分析；检测热生长氧化层时采用的测量步骤如下：

(1)设定阻抗分析仪(1)的测量参数；

(2)利用阻抗分析仪(1)在兆赫级频率范围内对氧化前的涂层试样(4)进行电阻抗模值信号测量；

(3)根据电阻抗模值信号幅度谱，在兆赫级频率范围内选取谐振峰幅度明显、分布集中的频带作为检测频段，确定采样点数和采样频率；

(4)根据步骤(3)确定的检测频段，以固定采样频率的方式分别对氧化前后的涂层试样(4)进行电阻抗模值信号测量；

(5)将涂层试样(4)氧化前后电阻抗模值信号的测量数据代入到式1中，

RMSD(%)=Σi=1n(yi-xi)2Σi=1nxi2×100---(1)]]>

式中：n为采样数据点数，x_i和y_i分别是氧化前后涂层试样(4)电阻抗模值信号的测量结果，经计算得到涂层试样(4)的氧化损伤识别指数RMSD值，并对热生长氧化层的形成进行表征。