[发明专利]单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶方法及其装置

说明书

技术领域

本发明涉及多线切割领域加工半导体用单晶硅片和太阳能电池用单晶/多晶硅片的脱胶控制技术，尤其是单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶方法及其装置。 

背景技术

半导体用单晶硅片和太阳能电池用单晶/多晶硅片的多线切割加工过程中，都涉及到脱胶。目前，针对选用的粘胶剂不同，常规的脱胶方法有两种： 

一种是采用冷水脱胶法（如：使用美国红胶），将切割完了的工件（硅片）倒挂连同工件连接板一同移到预清洗槽内，用大量自来水反复冲洗硅片，连续冲洗40分钟以上，直到硅片自动脱落；这种方法受水温、水压、粘胶手法等因素影响比较多，胶不易完全自动脱落，往往需要手工去瓣片，用手瓣片中由于瓣片手法掌握不当（用力往下按压或前后用力拽摇作倒），被瓣下来的硅片粘胶面易产生崩边和碎边，甚至裂纹片而降低合格率；而本方法冲水的时间很长，水的浪费大，很不经济。

另一种是采用热水脱胶法（如：使用日本Q胶、U胶，W胶），将切割完了的工件（硅片）倒挂连同工件连接板一同移到预清洗槽内，用大量自来水反复冲洗硅片，连续冲洗15～20分钟，然后移出预清洗槽，将倒挂的工件（硅片）翻转180⁰朝上竖立，搬到70⁰C～80⁰C的热水去胶槽内，浸泡或不断浇淋10～15分钟，达到软化粘胶并倾倒脱落手工瓣取；这种方法存在的问题是将倒挂的工件（硅片）翻转180⁰朝上竖立时，会发生硅片倾倒，硅片粘胶面易产生撕裂、崩边和碎边，甚至掉片问题而降低合格率。 

发明内容

为了克服现有的脱胶方法存在的脱胶后的单晶/多晶多线切割硅片脱胶时粘胶面易产生崩边、碎边的问题，本发明提供了一种单晶/多晶多线切割硅片的安全脱胶方法及装置。 

本发明解决现有问题的技术方案，一种单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶装置，包括粘接于连接板上待脱胶的工件（硅片），作为本发明的改进，还包括一可容纳悬置工件（硅片）的承载框架，所述的承载框架包括底板、分别设置于前侧面、后侧面与定位工件（硅片）配合的挡板，所述的前侧面、后侧面的两挡板上设有间隔穿插于工件（硅片）间的定位插条，所述的连接板悬置于承载框架上，所述的粘接于连接板上待脱胶的工件（硅片）底部相对于底板悬空，所述的底板上铺设有工件（硅片）脱胶后下落的缓冲层。 

作为本发明的进一步改进，所述的承载框架前侧面、后侧面所设的两挡板设有若干对应的插槽，所述的定位插条定位于插槽内。 

作为本发明的进一步改进，所述的承载框架上设有提把。 

作为本发明的进一步改进，所述的提把设置于承载框架的前、后两侧面的顶端。 

作为本发明的进一步改进，所述的连接板上设有把手。 

本发明还提供了一种单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶的方法，其步骤为 

1）将粘接于连接板上待脱胶的工件（硅片）悬挂于一可容纳悬置工件（硅片）的承载框架上，并与承载框架前侧面、后侧面分别所设的工件（硅片）配合的挡板配合，工件（硅片）底部悬空于铺设缓冲层的底板上；

2）待脱胶的工件（硅片）悬置于承载框架上后，从工件（硅片）两侧起，间隔穿插设置定位插条，定位插条定位于承载框架前侧面、后侧面的两挡板上；

3）将上一步的悬挂有工件（硅片）的承载框架放入预冲洗槽，用水喷淋冲洗10~15分钟至排出水无黑色污染物；

4）将上一步预冲洗好悬挂有工件（硅片）的承载框架放入加热脱胶槽，在水与乳酸配制的混合液中加热浸泡并完成自动脱胶，脱胶后工件（硅片）下落至底板所铺设的缓冲层上。

作为本发明方法的进一步改进，所述的承载框架前侧面、后侧面所设的两挡板设有若干对应的插槽，所述的定位插条定位于插槽内。 

作为本发明方法的进一步改进，承载框架上设有提把，所述的提把设置于承载框架的前、后两端。 

作为本发明方法的进一步改进，所述的连接板上设有把手。 

作为本发明方法的进一步改进，所述的缓冲层为铺设于底板上的海绵体。 

本发明与现有技术相比较，其有益效果是创造性地将原先长时间冲洗（40分钟以上），冷水脱胶改成工件（硅片）及工件连接板从承载框架顶部放入后短时间冲洗（10～15分钟）后取出，放入加热去胶槽，在水与乳酸配制的混合液中加热浸泡10～15分钟，工件（硅片）自动脱落，以自重下落到承载框架底板的铺设缓冲层上，避免了冷水脱胶时胶不易完全自动脱落，手工去瓣片，易产生崩边和碎边，甚至裂纹片而降低合格率的问题，同时，可减少用水量60%。