[发明专利]一种直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110178404.6 申请日: 2011-06-29
公开(公告)号: CN102242345A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 黄茜;张晓丹;刘阳;魏长春;赵颖 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 直接 制备 氧化锌 透明 导电 薄膜 方法
【权利要求书】:

1. 一种直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法,其特征在于步骤如下:

1)将清洗后的衬底置于溅射腔室中进行预热;

2)将溅射腔室抽真空,待真空度小于1×10-3 Pa时,分别向腔室中通入氩气和氢气作为溅射气体,并对腔室内气压进行调控;

3)待腔室内气体压强稳定后,采用氧化锌陶瓷靶材对衬底进行磁控溅射镀膜,直接制备具有绒面结构的氧化锌透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法,其特征在于:所述衬底材料为玻璃或聚酰亚胺。

3.根据权利要求1所述直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法,其特征在于:所述衬底预热温度为200°C -500°C。

4.根据权利要求1所述直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法,其特征在于:所述氩气的流量为40-100 sccm,氢气的流量为4-20sccm,氢气流量占溅射气体总流量的5%-30%,溅射气压为0.5 Pa-3 Pa。

5.根据权利要求1所述直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法,其特征在于:所述氧化锌陶瓷靶材包括本征ZnO陶瓷靶材、ZnO:Al2O3陶瓷靶材、ZnO:Ga2O3陶瓷靶材、ZnO:B2O3陶瓷靶材和ZnO:In2O3陶瓷靶材。

6.根据权利要求1所述直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法,其特征在于:所述磁控溅射镀膜工艺为脉冲直流磁控溅射或射频磁控溅射。

7.根据权利要求1所述直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法,其特征在于:所述绒面氧化锌薄膜具有(002)、(101)、(102)、(110)、(103)、(201)中的一种或两种以上结晶取向并有弹坑状表面形貌,薄膜的厚度为1-3 μm,薄膜表面均方根粗糙度为30-120 nm,550nm处散射绒度为15-60%。

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