[发明专利]一种抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤

权利要求书

1.一种抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤，包括有芯层和包覆芯层的包层，其特征在于所述的芯层半径R1为28～50微米，芯层折射率剖面呈抛物线形，α为1.9～2.2，最大相对折射率差Δ1％max为1.9％～2.5％，芯层外的包层从内到外依次为内包层和/或下陷内包层、外包层；所述的内包层半径R2为28～55微米，相对折射率差Δ2％为-0.1％～0.1％；所述的下陷内包层半径R3为28～60微米，相对折射率差Δ3％为-0.15％～-0.8％。

2.按权利要求1所述的抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤，其特征在于在下陷内包层外包覆外包层，所述的外包层半径R4为60～65微米，外包层相对折射率差Δ4％为-0.1％～0.1％。

3.按权利要求1或2所述的抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤，其特征在于下陷内包层相对折射率差Δ3％沿径向为恒定的或者为渐变的，所述的渐变包括从内向外递增渐变或从内向外递减渐变。

4.按权利要求1或2所述的抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤，其特征在于所述的芯层和各包层是由掺锗或掺氟或锗氟共掺或纯石英的石英玻璃组成。

5.按权利要求1或2所述的抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤，其特征在于光纤在850nm波长具有200MHz-km或200MHz-km以上的带宽。

6.按权利要求5所述的抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤，其特征在于光纤的数值孔径为0.29～0.33。

7.按权利要求1或2所述的抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤，其特征在于光纤在1300nm波长具有200MHz-km或200MHz-km以上的带宽。

8.按权利要求1或2所述的抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤，其特征在于光纤在850nm波长处，以7.5毫米弯曲半径绕2圈导致的弯曲附加损耗小于或等于0.35dB；以15毫米弯曲半径绕2圈导致的弯曲附加损耗小于或等于0.2dB；以30毫米弯曲半径绕100圈导致的弯曲附加损耗小于或等于0.2dB。