[发明专利]半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法无效
| 申请号： | 201110176487.5 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102243999A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张永福 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 过程 氮化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成基准折射率的氮化硅层；
对所述氮化硅层进行快速热处理以改变所述氮化硅层的折射率。
2.如权利要求1所述的半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积的方式形成所述基准折射率的氮化硅层。
3.如权利要求1所述的半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，其特征在于，所述快速热处理过程的温度范围是800℃到1200℃。
4.如权利要求3所述的半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，其特征在于，在800℃到1200℃的温度范围内，所述氮化硅层的折射率的增加幅度随着温度的升高而增加。
5.如权利要求1所述的半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，其特征在于，所述氮化硅层的折射率的增加幅度随着快速热处理过程的时间的增加而增加。
6.如权利要求5所述的半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，其特征在于，所述快速热处理过程的时间范围是0到150秒。
7.如权利要求1所述的半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，其特征在于，所述快速热处理过程中，氮气的流量范围为0～20slm，氧气的流量范围为0～20slm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110176487.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：瓯制药膳鸡汤及其制备方法
- 下一篇：一种种养结合的农田泥鳅低碳化养殖方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
