[发明专利]具有减小的AMR效应的GMR传感器

权利要求书

1. 一种巨磁阻（GMR）传感器，包括：

第一半桥，包括被耦接到电源电压端子的第一电阻器和被耦接到接地端子的第二电阻器；和

第二半桥，包括第三电阻器和第四电阻器，所述第三电阻器被耦接到所述电源电压端子，并且所述第四电阻器被耦接到所述接地端子，

其中所述第一、第二、第三和第四电阻器中的两个电阻器被定向成提供第一电流流动方向，并且所述第一、第二、第三和第四电阻器中的另两个电阻器被定向成提供垂直于所述第一电流流动方向的第二电流流动方向，并且其中所述第二电阻器的电流流动方向垂直于所述第三电阻器的电流流动方向。

2. 根据权利要求1的GMR传感器，其中所述第一和第四电阻器被置放在第一基准层上并且所述第二和第三电阻器被置放在第二基准层上。

3. 根据权利要求2的GMR传感器，其中所述第一基准层的磁化方向与所述第二基准层的磁化方向相反。

4. 根据权利要求1的GMR传感器，其中所述第一、第二、第三和第四电阻器包括曲径。

5. 根据权利要求4的GMR传感器，其中所述第一电流流动方向对应于所述第一和第三电阻器的条带部分，并且所述第二电流流动方向对应于所述第二和第四电阻器的条带部分。

6. 根据权利要求1的GMR传感器，其中在所述第一和第二电阻器之间和在所述第三和第四电阻器之间耦接输出电压端子。

7. 根据权利要求1的GMR传感器，其中所述GMR传感器包括角度传感器。

8. 根据权利要求1的GMR传感器，其中所述第一半桥的各向异性磁阻（AMR）效应至少部分地被所述第二半桥的AMR效应抵消。

9. 根据权利要求1的GMR传感器，其中所述第一或者第三电阻器中的至少一个的标称电阻不等于所述第二或者第四电阻器中的至少一个的标称电阻。

10. 根据权利要求1的GMR传感器，其中所述第一、第二、第三和第四电阻器中的两个电阻器是所述第一和第三电阻器并且另两个电阻器是所述第二和第四电阻器。

11. 根据权利要求1的GMR传感器，其中所述第一、第二、第三和第四电阻器中的两个电阻器是第一和第二电阻器并且另两个电阻器是第三和第四电阻器。

12. 一种巨磁阻（GMR）传感器，包括：

第一基准层部分，在其上置放第一曲径和第二曲径，所述第一曲径被耦接到电源电压端子并且包括第一部分和第二部分，并且所述第二曲径被耦接到接地端子并且包括第三部分和第四部分；

第二基准层部分，在其上置放第三曲径和第四曲径，所述第三曲径被耦接到电源电压端子并且包括第五部分和第六部分并且与所述第二曲径形成第一半桥，并且所述第四曲径被耦接到接地端子并且包括第七部分和第八部分并且与所述第一曲径形成第二半桥，

其中所述第一、第二、第三和第四曲径中的两个曲径被布置成具有第一电流流动方向，并且所述第一、第二、第三和第四曲径中的另两个曲径被布置成具有垂直于第一电流流动方向的第二电流流动方向，并且其中所述第二曲径的电流流动方向垂直于所述第三曲径的电流流动方向。

13. 根据权利要求12的GMR传感器，其中所述第三、第四、第七和第八部分的定向相对于所述第一、第二、第五和第六部分的定向被旋转大约90度。

14. 根据权利要求12的GMR传感器，其中所述第一和第二部分以及第五和第六部分的条带部分被基本上彼此平行地布置。

15. 根据权利要求12的GMR传感器，其中所述第二和第三部分的条带部分被彼此相邻地布置，并且其中所述第七和第八部分的条带部分被彼此相邻地布置。

16. 根据权利要求12的GMR传感器，其中所述第一基准层部分的磁化方向与所述第二基准层部分的磁化方向相同。

17. 根据权利要求12的GMR传感器，其中所述第一、第二、第三和第四曲径中的两个曲径是所述第一和第三曲径，并且另两个曲径是所述第二和第四曲径。

18. 根据权利要求12的GMR传感器，其中所述第一、第二、第三和第四曲径中的两个曲径是所述第一和第二曲径，并且另两个曲径是所述第三和第四曲径。